欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:54950199
大小:73.50 KB
页数:2页
时间:2020-04-24
《内存基本参数介绍.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、内存基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据,需要有充放电的过程,这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中,所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响,每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数,我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。CL CL全称CASLatency,是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好,但受于制造技术和内存控制器所限,目前的最佳值是2。 从图中,我
2、们能够直观的看到CL值变化,对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长;但在实际使用时,内存每秒要400M次以上的周期循环,此时的性能影响就相当明显了。RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行(RAS)和列(CAS)排成矩阵模式,一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号,先是行地址信号,然后是列地址信号,只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟,从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间,被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么
3、RAStoCAS参数对性能影响要大于RASPrecharge的原因。Tras 内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR内存而言,一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns(BIOS中显示为5)之后发出,标准是在70000ns~80000ns,此数值不可过大或过小,否则就会影响到内存运行的稳定性。 总结一下就是:CASLatency决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAStoCAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RASPrecharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换
4、间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CASLatency、RAStoCAS和RASPrecharge三个延迟参数。在很多超频报告中,一般会说明内存参数为X-X-X-X,例如3-4-4-8,就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3,RAStoCAS=4,RASPrecharge=4,Tras=8。CommandRate K8处理器的出现使得内存控制器第一次被整合进了CPU,其控制能力也得到了最大化加强。这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开,最引人注
5、目的就是“首命令延迟”CommandRate。DDR内存在寻址时,先要接收CPU的指令,然后才是行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间(此时间过后就是CL延迟),单位是时钟周期T。很显然,这个等待时间是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。至于CommandRate对系统性能能产生多大的影响,我们会在后面进行详细的对比测试。
此文档下载收益归作者所有