内存常识介绍.doc

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1、内存常识介绍内存,或内存储器,又称为主存储器,是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一,无疑是非常重要的。为了加快系统的速度,提高系统的整体性能,我们看到,计算机中配置的内存数量越来越大,而内存的种类也越来越多。内存新技术  计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统,内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时,就不能单凭内存数量的大小,还要看一看其所用内存的种类,工作速度。  有关内存的名词  关于内存的名词众多。为了便于读者查阅,下面集中进行介绍。  ROM:只读存储器  

2、RAM(RandomAccessMemory):随机存储器  DRAM(DynamicRAM):动态随机存储器  PMRAM(PageModeRAM):页模式随机存储器(即普通内存)  FPMRAM(FastPageModeRAM):快速页模式随机存储器  EDORAM(ExtendedDataOutputRAM)扩充数据输出随机存储器  BEDORAM(BurstExtendedDataOutputRAM):突发扩充数据输出随机存储器  SDRAM(SychronousDynamicRAM):同步动态随机存储器  SRAM(Sta

3、ticRAM):静态随机存储器  AsyncSRAM(AsynchronousStaticRAM):异步静态随机存储器  SyncBurstSRAM(SynchronousBurstStacicRAM):同步突发静态随机存储器  PBSRAM(PipelinedBurstSRAM):管道(流水线)突发静态随机存储器  Cache:高速缓存  L2Cache(Level2Cache):二级高速缓存(通常由SRAM组成)  VRAM(VideoRAM):视频随机存储器  CVRAM(CachedVedioRAM):缓存型视频随机存储器 

4、 SVRAM(SynchronousVRAM):同步视频随机存储器  CDRAM(CachedDRAM):缓存型动态随机存储器  EDRAM(EnhancedDRAM):增强型动态随机存储器各种内存及技术特点  DRAM动态随机存储器  DRAM主要用作主存储器。长期以来,我们所用的动态随机存储器都是PMRAM,稍晚些的为FPMRAM。为了跟上CPU越来越快的速度,一些新类型的主存储器被研制出来。它们是EDORAM、BEDORAM、SDRAM等。  DRAM芯片设计得象一个二进制位的矩阵,每一个位有一个行地址一个列地址。内存控制器要

5、给出芯片地址才能从芯片中读出指定位的数据。一个标明为70ns的芯片要用70ns的时间读出一个位的数据。并且还要用额外的时间从CPU得到地址信息设置下一条指令。芯片制作技术的不断进步使这种处理效率越来越高。  FPMRAM快速页模式随机存储器  这里的所谓“页”,指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPMRAM是最早的随机存储器,在过去一直是主流PC机的标准配置,以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”,“杠6”,指的即是其存取时间为70ns,60ns。60ns的FPMRAM可用于总线速度为66MHz(兆赫兹)的奔腾系统(C

6、PU主频为100,133,166和200MHz)。  快速页模式的内存常用于视频卡,通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns,这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”,其中一个端口可直接被CPU存取,而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取,这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作,从而比一般的DRAM要快些。  EDORAM扩充数据输出随机存储器  在DRAM芯片之中,除存储单元之外,还有一些附加逻辑电路,现在,人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路

7、,通过增加少量的额外逻辑电路,可以提高在单位时间内的数据流量,即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extendeddataout??EDO,有时也称为超页模式??hyper-page-mode)DRAM,和突发式EDO(BustEDO-BEDO)DRAM是两种基于页模式内存的内存技术。EDO大约1996年被引入主流PC机,从那以后成为许多系统厂商的主要内存选择。BEDO相对更新一些,对市场的吸引还未能达到EDO的水平。  EDO的工作方式颇类似于FPMDRAM,EDO还具有比FPMDRAM更快的理想化突发

8、式读周期时钟安排。这使得在66MHz总线上从DRAM中读取一组由四个元素组成的数据块时能节省3个时钟周期。  BEDORAM突发扩充数据输出随机存储器  BEDORAM,就像其名字一样,是在一个“突发动作”中读取数据,这就是说在提供了

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