全脑情智作文理论与实践—第一章脑科与哲学.doc

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1、《全脑情智作文理论与实践》肖颖（著）第一章：脑科学研究与哲学【前言导言】在21世纪，脑科学无疑是最现代，最前沿的科学研究。已取得阶段性的重大成果。我们在：认识大脑、保护大脑、开发大脑、使用大脑、保健大脑的认识、研究、应用中，必须坚持几个基本原则：（一）科学认识大脑、了解大脑的结构与功能；（二）用辨证哲学观，来指导大脑的开发与利用。我们要充分认识到：（1）左脑和右脑，各有分工，它们是矛盾的；（2）左脑和右脑又是矛盾统一的，各区域的工作必须互相协调、互相配合、密接联系、融会贯通。（3）研究大脑，开发大脑，要有和谐意识，既要某些点的突破，也需要整体配合协调，不能过分强调一个方面，而否定另一个方面。左

2、脑右脑是永远运动的，矛盾统一和逐渐进化、变化的。（4）古大脑新大脑的研究表面，大脑后天是可以开发的，大有空间可挖。一、大脑的结构与功能【要点导读】我们知道：人类只有一个地球，人只有一个大脑。人类的大脑超级强大，大脑由端脑和间脑组成。端脑可分左脑和右脑；在这儿聚集着140亿个脑细胞。其脑容量之大，想当于1万个藏书为1000万册的图书馆；脑细胞每天要死亡约10万个（越不用脑，脑细胞死亡越多）。因此，马克思说，我们的大脑越用越灵；中国有句古话：刀不磨，要生锈，脑不用，要变笨。以前的观点是最善于用脑的人，一生中也仅使用掉脑能力的10%，但现代科学证明这种观点是错误的，人类对自己的脑使用率是100%，脑

3、中并没有闲置的细胞。（下面是参考资料，请略读）（一）大脑的构造与优势大脑科学研究表明：1大脑的构造：大脑（brain)包括端脑和间脑。而端脑包括：左右大脑半球。端脑是脊椎动物脑的高级神经系统最重要的主要部分，由左右两半球组成，在人类为脑的最大部分，是控制运动、产生感觉以及实现高级脑功能的高级神经中枢。脊椎动物的端脑在胚胎时是神经管头端薄壁的膨起部分，以后发展成大脑两半球，主要包括：大脑皮质、大脑髓质和基底核等三个部分。大脑皮质是被覆在端脑表面的灰质、主要由神经元的胞体构成。皮质的深部由神经纤维形成的髓质或白质构成。髓质中又有灰质团块即基底核，纹状体是其中的主要部分。2大脑功能与数据端脑由约14

4、0亿个细胞构成，重约1400克，大脑皮层厚度约为2--3毫米，总面积约为2200平方厘米，据估计脑细胞每天要死亡约10万个（越不用脑，脑细胞死亡越多）。一个人的脑储存信息的容量相当于1万个藏书为1000万册的图书馆，以前的观点是最善于用脑的人，一生中也仅使用掉脑能力的10%，但现代科学证明这种观点是错误的，人类对自己的脑使用率是100%，脑中并没有闲置的细胞。人脑中的主要成分是水，占80%。脑虽只占人体体重的2%，但耗氧量达全身耗氧量的25%，血流量占心脏输出血量的15%，一天内流经脑的血液为2000升。脑消耗的能量若用电功率表示大约相当于25瓦。因为有80%是水，所以它就有些像豆腐。但是它不

5、是方的，而是圆的；也不是白的而是淡粉色的。3端脑构造端脑主要包括左、右大脑半球，是中枢神经系统的最高级部分。人类的大脑是在长期进化过程中发展起来的思维和意识的器官。大脑半球的外形和分叶左、右大脑半球由胼胝体相连。半球内的腔隙称为侧脑室，它们借室间孔与第三脑22室相通。每个半球有三个面，即膨隆的背外侧面，垂直的内侧面和凹凸不平的底面。背外侧面与内侧面以上缘为界，背外侧面与底面以下缘为界。半球表面凹凸不平，布满深浅不同的沟和裂，沟裂之间的隆起称为脑回。背外侧面的主要沟裂有：中央沟从上缘近中点斜向前下方；大脑外侧裂起自半球底面，转至外侧面由前下方斜向后上方。在半球的内侧面有顶枕裂从后上方斜向前下方；

6、距状裂由后部向前连顶枕裂，向后达枕极附近。这些沟裂将大脑半球分为五个叶：即中央沟以前、外侧裂以上的额叶；外侧裂以下的颞叶；顶枕裂后方的枕叶；外侧裂上方、中央沟与顶枕裂之间的顶叶；以及深藏在外侧裂里的脑岛。另外，以中央沟为界，在中央沟与中央前沟之间为中央前回；中央沟与中央后沟之间为中央后回。端脑有左右两个大脑半球（端脑半球）。将两个半球隔开的是称为大脑纵隔的沟壑，两个半球除了脑梁与透明中隔相连以外完全左右分开。半球表面布满脑沟，沟与沟之间所夹细长的部分称为脑回。脑沟并非是在脑的成长过程中随意形成，什么形态出现在何处都完全有规律（其深度和弯曲度因人稍有差异）。每一条脑沟在解剖学上都有专有名称（no

7、minaanatomica）。脑沟与脑回的形态基本左右半球对称，是对脑进行分叶和定位的重要标志。比较重要的脑沟有外侧沟（lateralsulcus）起于半球下面，行向后上方，至上外侧面；中央沟 （centralsulcus）起于半球上绿中点稍后方，斜向前下方，下端与外侧沟隔一脑回，上端延伸至半球内侧面；顶枕沟（parietooccipitalsulcus）位于半球内侧面后部，自下向上。在外侧沟上方