模拟电路习题.doc

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1、第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的，由很薄的基区联系在一起。那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？⒉作业题题1.1在硅本征半导体中掺入施主杂质

2、，其浓度为，分别求出在250K、300K、350K时电子和空穴的浓度。题1.2若硅PN结的，，求T=300K时PN结的内建电位差。题1.3流过硅二极管的电流ID=1mA时，二极管两端压降UD=0.7V，求电流ID=0.1mA和10mA时，二极管两端压降UD分别为多少？题1.4电路如图题1.4中二极管是理想的，：①画出该电路的传输特性；②画出输出电压波形。题图1.4题1.5题图1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U和电流I的值。(a)(b)题图1.5题1.6在图题1.6所示电路中，取V

3、的，导通电压UD(on)=0.6V，画出传输特性曲线(UI~UO)；②若二极管的导通电压UD(on)=0.6V，导通电阻RD=100Ω,画出其传输特性曲线。题图1.6题1.7一PNP型晶体三极管，其ICBO=10μA。工作在放大区且IE=3mA时，IC=2.98mA。若连接成共发射极组态，调整发射结电压，使三极管IB=30μA，则此时的IC为多大？题1.8在图题1.8所示电路中，已知β=100，UI=5V，VCC=10V，RC=4.66kΩ，UBE(on)=0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需RB的最大值。题图1.8题1.9两个三极管

4、工作在放大区，看不出它们的型号，测得各管脚的电位分别如题图1.9所示，判断它们是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管，识别管脚并分别标上E、B、C。题图1.9题1.10题图1.10电路中，测得UE=-0.7V，若三极管β=50，求IE、IB、IC和UC。题图1.10第二章放大器基础⒈讨论题与思考题⑴为什么放大电路能把小能量的电信号放大到所要求的程度？试说明组成放大电路的基本原则？⑵在阻容耦合放大电路中，耦合电容有何作用？若耦合电容采用电解电容，其极性应如何安排？⑶什么是放大电路的静态分析？静态分析时依据什么电路？⑷什么是放大电路的动态分

5、析？进行动态分析时依据什么电路？⑸放大电路的输出动态范围也可以通过实验的方法测得。怎样用示波器观察基本共射放大电路的最大不失真输出电压波形？⑹场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？⑺为提高电压放大倍数和改善电路性能指标，放大电路中往往采用由多个单级放大电路级连而成的多级放大器。多级放大器有那几种耦合方式？它们各有什么特点和问题？⑻为什么说频率响应是放大器的一项重要性能指标？⒉作业题题2.1单管放大电路与三极管特性曲线如题图2.1(a)、(b)所示。①用图解法确定静态工作点Q；②当R

6、C由4kW增大到6kW时，工作点Q将怎样移动？③当RB由200kW变为100kW时，工作点Q将怎样移动？④当-Vcc由-12V变为-6V时，工作点Q将怎样移动？(a)(b)题图2.1题2.2放大电路如题图2.2(a)所示，三极管的输出特性曲线如题图2.2(b)所示。用图解法：①画出直流负载线并确定工作点Q(设UBEQ=0.7V)；②画出交流负载线，并确定对应iB由0~100μA变化时，uCE的变化范围，并计算输出正弦电压有效值。(a)(b)题图2.2题2.3题图2.3所示电路中，三极管β=100，100Ω，UBEQ=0.7V。①求三极管

7、的静态工作点Q；②求电压增益Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。题图2.3题2.4题图2.4所示放大电路中，三极管β=100，UBEQ=0.6V，C1、C2、Ce可视为交流短路。①求静态工作点Q；②用等效电路法求电压增益Au=uo/ui、源电压增益Aus=uo/us；③求输入电阻Ri、输出电阻Ro。题图2.4题2.5三极管β=100，C1、C2可视为交流短路。①求集电极直流电流IC和电位UC；②求电压增益Au=。题图2.5题2.6题图2.6所示放大电路中，三极管β=100，UBEQ=0.6V，200Ω。①求电压放大倍数Au；②求输入电阻R

8、i、输出电阻Ro。题图2.6题2.7在题图2.7所示放大电路中，已知管子β=50，300Ω，UBEQ=0.7V，电容C1、C2、C3可视为交流短路，Rs=500Ω。①计算电压增益Au1=、Au2=，输入电阻