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《低温烧结Ba3(VO4)2-xZnMoO4微波介质陶瓷研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第36卷第3期压电与声光Vo1.36NO.32O14年O6月PIEZOEIECTRICS&AC0UST00PTICSJune2014文章编号:1004—2474(2014)03—0455—03低温烧结Ba3(VO4)2一xZnMoO4微波介质陶瓷研究高彬,杨青慧,张怀武(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054)摘要:采用固相反应法制备了Ba。(V0)-xZnMoO陶瓷,研究不同ZnMoO含量对Ba。(V0)微观结构及介电性能的影响。X线衍射(XRD)测试结果表明,二者兼容性良好,无第
2、二相产生;具有低熔点及相反(负)频率温度系数的ZnMoO能有效降低Ba。(V0)的烧结温度,同时调节温度稳定性。当z一8(质量分数)时,所制陶瓷烧结温度约850℃,相对介电常数e≈13,品质因数QX/≈26400GHz,谐振频率温度系数"rf≈+3fC一。关键词:Ba。(VO);ZnMoO;微波介质陶瓷;低温烧结;介电性能;谐振频率温度系数中图分类号:TM28;TQ174文献标识码:AStudyonBa3(VO4)2一xZnMoO4MicrowaveDielectricCeramicsSinteredatLow
3、TemperatureGAoBin,YANGQinghui,ZHANGHuaiwu(StateKeyLab.ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China)Abstract:TheBa3(V04)2一xZnMoO4ceramicshavebeenpreparedbytheconventionalsoli—statereactionmeth
4、odandtheeffectsofdifferentcontentsofZnMoO4onthemicrowavedielectricpropertiesandthemicrostructuresofBa3(VO4)2一xZnMoO4compoundceramicshavebeeninvestigated.TheX-raydiffraction(XRD)testresultsindicatedthatBa3(VO4)2andZnMoO4phasecoexistinthecomposite,andnoseconda
5、ryphasescanbedetected,havingagoodcompatibility.Thenear-zerotemperaturecoefficientsoftheresonantfrequency("rf)couldbeachievedbyad~justingtherelativecontentofthetwophasesowingtotheiroppositerfvalues.Whenz一8,thesinteredtempera’tureofpreparedceramicsreducedto850
6、℃andexhibiteddesirablemicrowavedielectricpropertiesofthequalityfac—torQ×f≈26400GHz,dielectricconstant£f≈13,andresonant_frequency—temperaturecoefficientofrf≈+3u℃-。.Keywords:B3(VO4)2;ZnMoO4;microwavedielectricceramics;low—temperaturesintered;dielectricproper—t
7、ies;temperaturecoefficientofresonantfrequency0引言(52。C)及良好的微波介电性能(£≈14,Q×,≈42000GHz)_3]。目前LTCC材料的研制普遍采用随着移动通讯和卫星通讯的飞速发展,我们对添加助烧剂降低烧结温度,然后掺杂调节r,的方电子产品的小型化、高频化、多功能、低成本及高可靠等各方面提出了越来越高的要求,对新型高性能法,如R.Umernura等_4]通过添加0.5(质量分电子陶瓷材料的需求随之急剧增加L]]。近年来,低数)的BO。,在950℃下烧结制备
8、的Ba。(Vo)陶温共烧陶瓷技术(LTCC)以其优异的电子及热机械瓷样品,性能参数为Q×厂=41065GHz,£一12.5,特性成为未来的首选方式。为能与银、铜等金属内rf:38.8“℃_。;通过添加0.0625的烧结助剂电极材料共烧,烧结温度须低于其熔点,一般要求低LiCO。,在950℃下烧结制备的Mg。(Vo)2-于900℃;同时适当的介电常数£、较高的品质因数0.5Ba。(VO)
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