zn2sio4基微波介质陶瓷低温烧结及其性能的研究

zn2sio4基微波介质陶瓷低温烧结及其性能的研究

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1、西南科技大学硕士研究生学位论文第1页摘要移动通信系统的快速发展需要微波器件小型化、片式化、集成化。应用在小型的微波介质器件上的多层低温共烧陶瓷(LTCC)器件得到广泛的研究。Zn2Si04陶瓷基板材料由于其优异的微波介电性能,可广泛用于微波领域。但Zn2Si04陶瓷烧结温度高,因此实现其低温烧结非常重要。本文通过添加ZnO.B203一Si02(ZBS)玻璃和氧化铋作为助烧剂来降低Zn2Si04陶瓷的烧结温度。采用XRD、SEM、EDS、TG—DTA、网络分析仪等方法对样品的物相、显微形貌、热分析、元素组成和微波介电性能

2、进行测试表征。结论如下:以ZnO和Si02为原料,采用固相法制备出不同锌硅比的xZnO.Si02(x=2.0、1.9、1.8、l,7、1.6)陶瓷。结果显示:所有陶瓷样品的主晶相都具有硅锌矿结构,当x=2.0时,陶瓷样品中存在少量ZnO杂相。随着x的降低,ZnO相消失,陶瓷中出现少量Si02相。陶瓷样品在1300℃烧结致密,其中x=1.9时晶粒尺寸较大。随着Si02的增多,晶粒尺寸减少,并且当x=1.6时,晶粒周围有明显的玻璃态物质出现。Qr值随着Si02的含量增大先增大后减小,当x=1.8时,1300℃烧结的陶瓷具有

3、较好的微波介电性能:Qt=72300GHz,£,=6.71,T,’一37×l0‘6/℃。以ZBS玻璃为烧结助剂,采用普通陶瓷工艺制备不同ZBS玻璃添加量的1.8ZnO—Si02陶瓷样品。结果显示:添加ZBS玻璃可降低1.8ZnO—Si02陶瓷的烧结温度至950℃。随着玻璃添加量的增加1.8ZnO.Si02陶瓷的介电常数与品质因数都相应的降低。当玻璃添加量为20wt%时,900℃保温2h所制备的陶瓷具有较低的介电常数:£。=6.85,较高的品质因数Qr_31690GHz,频率温度系数为:tf=一28×l0-6/℃,在低温

4、共烧陶瓷领域有着潜在的应用价值。以Bi203为烧结助剂,采用普通陶瓷工艺制备不同氧化铋添加量的1.8ZnO.Si02陶瓷。结果显示,当添加量小于5m01%,陶瓷出现Bi4Si3012,而当氧化铋添加量增加到7m01%时,基料中的Si02相消失,出现Bi12Si020。添加氧化铋后可降低1.8ZnO-Si02陶瓷的烧结温度至900℃以下,并导致少数晶粒的异常长大。随着氧化铋添加量的增加,西南科技大学硕士研究生学位论文第1I页陶瓷的介电常数增加,品质因数呈现先增大后减小的趋势。当氧化铋的的添加量为7m01%时,900℃下烧

5、结2小时的陶瓷样品具有相对较好的微波介电性能:gr=7.7,Q,=l3200GHz,T,=.32×10一/。C。关键词:LTCCZn2Si04微波介质陶瓷ZBS玻璃Bi203西南科技大学硕士研究生学位论文第1II页AbstractThedevelopmentofmobilecommunicationsystemsrequireStheminizturization,chipandintegrationofmicrowavedevices.Low.tempraturecofiredceramic(LTCC)multila

6、yerdeviceshavebeenextensivelyinvestigatedinanattempttominiaturizemicrowavedevices.Sincetheyexhibitexcellentmicrowavedielectricproperties,Zn2Si04ceramicsubstratematerialshavebeenwidelyinvestigatedinmicrowavecommunicationfields.However,thesinteringtemperatureofthe

7、Zn2Si04ceramicswashighandneedstobedecreasedbeforetheycanbeconsideredforuseasLTCCdevices.Inthispaper,wetriedtoreducethesinteringtemperatureofZn2Si04ceramicbyaddingtheZnO.B203.Si02(ZBS)glassandBi203assinteringaids.Thephasecomposition,microstructure,elementcomposit

8、ion,thermoanalysisandmicrowavedielectricpropertiesweretestedbyXRD,SEM,EDS,TG..DTAandnetworkanalyzerrespectively.Theresultsshowedthat:UsingZnOandSi02asmajorreactants,x

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