ZnO多孔纳米结构纤维材料的制备及可见光催化性能.pdf

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1、V01.35高等学校化学学报No.72014年7月CHEMICALJOURNALOFCHINESEUNIVERSITIESl523~1528Ag+/Ag/ZnO多孔纳米结构纤维材料的制备及可见光催化性能邵克让,李建娇,安兴才,雷自强,苏碧桃(1.西北师范大学化学化工学院,生态环境相关高分子材料教育部重点实验室,甘肃省高分子材料重点实验室,兰州730070;2.甘肃省科学院自然能源研究所,兰州730046)摘要借助棉花纤维模板,采用两步法制备了Ag/Ag/ZnO多孔纳米结构纤维材料,并利用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外一可见光谱

2、(uV.Vis)等对其进行了表征.以亚甲基蓝(MB)的脱色降解为模型反应,考察了银修饰量(摩尔分数,0~1.50%)对ZnO纳米结构纤维材料光催化性能的影响.结果表明,利用模板辅助的两步法制备了Ag一Ag共修饰的ZnO多孔纳米结构纤维材料Ag/Ag/ZnO,Ag和Ag通过改变ZnO的晶胞结构、光吸收特性及形貌等影响其光催化性能;在可见光条件下,Ag/Ag/ZnO的催化性能优于纯ZnO,且与修饰量有关.关键词Ag/Ag/ZnO;多孔纳米结构纤维材料;模板辅助两步法;光催化性能中图分类号0643.3文献标志码A在过去几十年中,半导体光催化剂由于可在水和空气中分解有机物而被广泛应用

3、于环境保护领域之中曲.在众多半导体光催化剂中,ZnO由于具有抗氧化能力强、化学稳定性好、无毒及成本低等优点而在基础研究和实际应用中引起了广泛关注.然而,ZnO的禁带宽度为3.37eV,只能吸收波长较短的紫外光,对太阳光的利用率很低,且激发态导带电子和价带空穴易于复合[9],降低了光量子效率,使光催化活性降低.因此,拓展ZnO的光吸收范围,抑制光生电子和空穴的复合是提高其光催化活性的关键m.纳米半导体ZnO表面沉积适量的贵金属,不仅可以有效捕获光生电子,阻止电子.空穴对(e。h)的复合,延长空穴寿命’“,而且可以拓展ZnO的光吸收范围,增强对可见光的吸收,从而提高光催化氧化活性

4、.与贵金属Pd,Pt,Au等相比,Ag由于成本低而成为一种比较有实用前景的用于改性ZnO的贵金属.目前常用的制备贵金属Ag沉积半导体ZnO的方法有溶胶.凝胶法¨、溶剂(水)热法n、共沉淀法埔]、射频磁控溅射法和火焰喷雾法加等.功能材料的性能不仅依赖于其纳米尺寸而且依赖于其纳米结构卜引,如二维的纳米膜结构材料、多层化的二维纳米结构材料、多孔型结构材料及纳米纤维结构材料等的性能均优于纳米颗粒材料.棉花具有资源丰富、成本低、可再生,润湿和吸附性能良好等优点,在空气气氛下经适当温度焙烧可以去除棉花纤维模板,其相对的刚性可以有效控制目标材料的形貌、尺寸等.本文使用棉花纤维为模板,利用模

5、板辅助的两步法制备了一系列不同Ag.Ag修饰量的ZnO多孔纳米结构纤维材料(Ag/Ag/ZnO).并以亚甲基蓝(MB)溶液的降解脱色为模型反应,考察了银修饰量对ZnO纳米结构纤维材料光催化性能的影响.收稿日期:2014-01-20.基金项目:国家自然科学基金(批准号:21174114)、教育部“长江学者和创新团队发展计划”创新团队项目(批准号:IRT1177)、甘肃省科技计划项目(批准号:1204GKCA006)、甘肃省自然科学基金(批准号:1010RJZA024)和西北师范大学科技创新项目(批准号:nwnu—kjcxgc-03-63)资助.联系人简介:苏碧桃,女,博士,教授

6、,主要从事微/纳米半导体材料与光催化研究.E-mail:sub~608@gmail.corn高等学校化学学报1实验部分1.1试剂与仪器六水合硝酸锌[Zn(NO)·6H:O,分析纯,上海中秦化学试剂有限公司];硝酸银(AgNO,分析纯,天津市化学试剂六厂三分厂);无水乙醇(CHCHOH,分析纯,北京中联化工试剂厂);亚甲基蓝(分析纯,北京化工厂);水为去离子水,脱脂棉花纤维(CF)产地为新疆.D/Max.2400型粉末x射线衍射仪(XRD,日本理学公司);JSM-5600LV型扫描电子显微镜(SEM,日本电子光学公司);PHI5702型多功能x光电子能谱仪(XPS,美国物理电子

7、公司);UV-2550型紫外.可见光谱仪(uV—Vis,日本Shimadzu公司).1.2Ag/Ag/ZnO多孔纳米结构纤维材料的制备1.2.1前驱体Ag/Zn/CF的制备将1.20gZn(NO,)·6HO和一定量的AgNO3溶解于75.0mL无水乙醇中,形成zn和Ag的乙醇溶液;将1.50g干燥、疏松的CF在此溶液中浸泡2h;将浸渍过的CF于室温下自然干燥即得到前驱体Ag/Zn/CF.1.2.2Ag一Ag共修饰的ZnO多孔纳米结构纤维材料的制备将Ag/Zn/CF在空气气氛、640℃下焙烧3h.该过程在

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