欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:54165
大小:16.39 MB
页数:43页
时间:2017-04-29
《《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第一章常用半导体器件7〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。〖题1.2〗二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压。设二极管的导通压降为。解:(a)UO=UA-UD=-5V-0.7V=-5.7V(b)UO=UB=UC=-5V(c)UO=UA=-0.7V(d)UO=UA=-9.3V〖题1.3〗二极管电路如图T1.3(a
2、)所示,已知,,,电容C和直流电源E对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。解:〖题1.4〗设图T1.4中的二极管D为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。第一章常用半导体器件7解:(a),二极管导通;(b),二极管截止。〖题1.5〗在图T1.5所示电路中,已知,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。分别画出它们的输出波形和传输特性曲线。解:第一章常用半导体器件7〖题1.6〗有两只硅稳压管、,它们的正向导通电压,稳压值分别为,。试问:(1)将它们串联相接时可以得到几种稳压值,各为多少
3、?(2)将它们并联相接时又可以得到几种稳压值,各为多少?解:(1)6.7V,9.7V,15V;(2)0.7V,6V。〖题1.7〗已知稳压管的稳压值,最小稳定电流,,求图T1.7所示电路中和的值。解:(a)假设稳压管能够稳压则:,假设成立,所以UO1=6V;(b)若稳压管能够稳压则:,假设不成立,稳压管不导通,所以。〖题1.8〗电路如图T1.8所示,已知,,。稳压管的稳定电压,稳定电流,最大稳定电流求流过稳压管的电流如果断开,将会出现什么问题?的最大值为多少?解:假设稳压管能够稳压,则:,假设成立,且,如果R2断开,稳压管中电流过大将被烧坏;,
4、R2的最大值为2kΩ。第一章常用半导体器件7〖题1.9〗测得放大电路中的两个晶体管的两个电极电流如图T1.9所示。(1)另一个电极的电流,并在图中标出实际方向;(2)判断它们的管型,并标出e、b、c极;(3)估算它们的β值和值。解:图(a):(1)2mA,流入电极,(2)NPN型管,上e左c右b,(3)β=100,α=0.99;图(b):(1)0.3mA,从电极流出,(2)PNP型管,上c左b右e,(3)β=40,α=0.975。〖题1.10〗有两只晶体管,A管的,;B管的,,其它参数大致相同,用作放大时最好选用哪只管?解:B管。(选用BJT
5、时,一般希望极间反向饱和电流尽量小些,以减小温度对BJT性能的影响)。〖题1.11〗在放大电路中,测得三只晶体管各个电极的电位如下,A管:①2V,②2.7V,③6VB管:①2.2V,②5.3V,③6VC管:①-4V,②-1.2V,③-1.4V试判断晶体管的类型、材料、电极。解:A管:NPN型,硅,①e,②b,③c;B管:PNP型,硅,①c,②b,③e;C管:PNP型,锗,①c,②e,③b。〖题1.12〗用万用表直流电压档测得某电路中三只晶体管各电极的电位如下,A管:,,;B管:,,;C管:,,。试判断晶体管的工作状态。解:A管:放大状态,B管
6、:放大状态,C管:临界饱和状态。〖题1.13〗工作在饱和状态的PNP型晶体管,三个电极电位的关系哪一组正确?(1),,;(2),,;(3),,;第一章常用半导体器件7解:(1)组正确〖题1.14〗电路如图T1.14所示,已知晶体管,导通时,试分析为0、1V、2V三种情况下晶体管T的工作状态即输出端电压的值。解:VBB=0时,T截止,uO=12V;VBB=1V时,T放大,uO=9V;VBB=2V时,T饱和,uO<0.7V。〖题1.15〗电路如图T1.15所示,晶体管的,,饱和管压降;稳压管的稳定电压,正向导通电压。试问:当和时的值各为多少?解:
7、ui=0V时uO=-UZ=-5V;ui=-5V时uO=-0.1V。〖题1.16〗某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。试问:(1)若它的工作电压,则工作电流不得超过多少?(2)若工作电流,则工作电压不得超过多少?解:(1)IC不得超过5mA(2)UCE不得超过30V〖题1.17〗电路如图T1.17(a)所示,场效应管T的输出特性曲线如图(b)所示。(1)画出T在恒流区的转移特性曲线;(2)分析当uI为4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域?解:(1)略(2)uI=4V时,T工作在夹
8、断区;第一章常用半导体器件7uI=8V时,T工作在恒流区;uI=12V时,T工作在可变电阻区。〖题1.18〗已知某场效应管的,,求时的低频跨导。解:gm=3.5mS
此文档下载收益归作者所有