MOSFET主要参数指标.pdf

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1、Mosfet参数含义说明Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压.一般此电压有一定的余量.Rds(on)：DS的导致电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻.Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低.AbsoluteMaximumRatings：Vds:见Features.Vgs:最大GS电压.一般为：-20V~+20V（要注意可能是负的，针对不同形式的MOSFET）Id:见Features.Idm:最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系.Pd:最大耗散功率.Tj:最大工作结温.通常为150度和

2、175度.Tstg:最大存储温度.Iar:雪崩电流.Ear:重复雪崩击穿能量.Eas:单次脉冲雪崩击穿能量.ElectricalCharacteristics:BVdss：DS击穿电压.Idss:饱和DS电流.uA级的电流.Rds(on):见Features.Igss:GS驱动电流.nA级的电流.gfs:跨导.Qg:G总充电电量.Qgs:GS充电电量.Qgd:GD充电电量.MillerEffect.Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间.Tr:上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。Td(off):关断延

3、迟时间。输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间。Tf:下降时间。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。Ciss:输入电容.Ciss=Cgd+Cgs.Coss:输出电容.Coss=Cds+Cgd.Crss:反向传输电容.Crss=Cgc.Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（

4、外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源

5、饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(t

6、h)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参

7、数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数