河北联合大学 (原河北理工大学)电工学试题库及答案 第8章半导体器件 习题与答案.doc

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1、第8章半导体器件1半导体二极管的主要特点是具有（）。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用1．答案：(b)2．理想二极管的正向电阻为（）。(a)零(b)无穷大(c)约几千欧2．答案：(a)3二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（）。(a)导通(b)截止(c)击穿73．答案：(a)4电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压uO=（）。(a)Us(b)US/2(c)零4．答案：(a)5电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D、D截止(b)D、D截止，D3导通(c)D、D截止，D导通(d)D、D、D

2、均截止75．答案：(a)6电路如图所示，二极管D、D为理想元件，判断D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D截止(b)D导通，D导通(c)D截止，D导通(d)D截止，D截止6．答案：(a)7型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V7．答案：(c)78电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于（）。(a)1V(b)3V(c)12V8．答案：(a)8.9电路如图1所示，二极管D为理想元件，=6sintV，则输出电压uO的波形为（）。79.．答案：(a)10稳压管反向击穿后，其后果为（）。

3、7(a)永久性损坏(b)只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损(c)由于击穿而导致性能下降11．普通双极型晶体管是由（）。(a)一个PN结组成(b)二个PN结组成(c)三个PN结组成11．答案：(b)12晶体管的主要特点是具有（）。(a)单向导电性(b)电流放大作用(c)稳压作用12．答案：(b)13晶体管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。(a)发射结反偏，集电结正偏(b)发射结、集电结均反偏(c)发射结、集电结均正偏(d)发射结正偏，集电结反偏13．答案：(d)14已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。(a

4、)发射极(b)集电极(c)基极14．答案：(a)715所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。(a)放大区(b)饱和区(c)截止区15．答案：(a)16电路如图所示，静态时晶体管处于（）。(a)饱和状态(b)放大状态(c)截止状态16．答案：(c)7