电工学与电子技术B复习题及参考答案_(1).doc

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1、一、选择题6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D）A．串联反馈；B并联反馈；C．正反馈；Ｄ．负反馈。7、由一个三极管组成的基本门电路是（B）A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．异或门。8、在脉冲门电路中，应选择（B）的三极管。A．放大能力强；B．开关速度快；C．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D）A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．与非门。24、对半导体而言，其正确的说法是（C）A．P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B．N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身都不

2、带电；D．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V、4V、3.7V，则这3个极分别为（A）A．C、B、E；B．C、E、B；C．E、C、B。26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V、-2.3V、-2V，则这-2.3V的那个极为（B）A．集电极；B．基极；C．发射极。27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（C）A．NPN型硅管；B．PNP型锗管；C．NPN型锗管；D．PNP型硅管。28、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC>0,UCE>0, 则

3、此管工作在（B）A．放大区；B．饱和区；C．截止区。29、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE<0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（C）A．放大区；B．饱和区；C．截止区。30、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（A）A．放大区；B．饱和区；C．截止区。31、晶体三极管的控制方式为（B）A．输入电流控制输出电压；B．输入电流控制输出电流；C．输入电压控制输出电压。32、场效晶体管的控制方式为（C）A．输入电流控制输出电压；B．输入电压控制输出电压；C．输入电压控制输出电流。33、射极输出器（A）A．有电流放大

4、作用，没有电压放大作用；B．有电流放大作用，也有电压放大作用；C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（B）A．并联电流负反馈；B．串联电流负反馈；C．串联电压负反馈；D．并联电压负反馈。35、与相等的为（C）A．；B．；C．。36、与相等的为（B）A．A+B；B．A+BC；C．。37、若，则（C）A．ABC=001；B．ABC=110；C．ABC=100。38、已知函数，则它的“与非—与非”表达式为（B）。A.B.C.ABBC39、组合逻辑电路的分析是指（C）。A．已知逻辑图，求解逻辑表达式的过程；B．已知真值表，求

5、解逻辑功能的过程；C．已知逻辑图，求解逻辑功能的过程。③②①（图4）46、如图4所示的晶体管，测得三电极的电位分别是，，，则该晶体管的的的类型及各电极的名称为：（A）A．NPN型，①是集电极、②是基极、③发射极B．PNP型，①是发射极、②是基极、③集电极C．NPN型，①是集电极、②发射极、③基极D．PNP型，①是集电极、②发射极、③基极47、PNP型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足：（B）A．UC>UB>UE；B．UCUE>UB；50、共集电极放大电路的电压放大倍数Au(B)A．大于1；B．小于并接近1；C．等于1；D．远大于1．51、下列

6、哪一个不是逻辑函数的表示方法（C）。A．真值表；　B．逻辑图；C．波形图；　D．逻辑表达式.53、P型半导体中的多数载流子是（B）A．自由电子；B．空穴；C．正离子。三、填空题6．最常用的半导体材料有硅和锗两种。7．晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V。通常硅二极管的死区电压约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.1V。=1AB8．逻辑代数的三种最基本的运算关系有与、或、非；写出异或逻辑函数表达式Y=(其输入变量为A、B)，其逻辑符号为：9.晶体二极管是由一个PN结作为管芯，其最主要的电特性是单向导电性：加正向电压时PN结处于导通状态

7、，加反向电压PN结处于截止状态。10.晶体三极管有两个PN结，即发射结和集电结；要具有电流放大作用必须具备的外部条件是：发射结正偏和集电结反偏。11.晶体三极管有三种工作状态：放大状态、饱和状态和截止状态。12.某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是：U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,则该管1脚是E极，2脚是B极，3脚是C极，该管采用硅材料，类型是NPN型。13、在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成　P　　型杂质半导体。其中的多子是　空穴　。14、射极输出器的特点是输入电