电工学与电子技术b复习题及参考答案 (1)

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1、电工学与电子技术B复习题答案一、选择题1、一含源二端网络，测得其开路电压为100V，短路电流为10A，当外接10Ω负载电阻时，负载电流是（B）A．10A；B．５Ａ；C．１５Ａ；Ｄ．２０Ａ．２、电动势为10V、内阻为2Ω的电压源变换成电流源时，电流源的电流和内阻是（C）A．10A，2Ω；B．10A，2Ω；C．5A，2Ω；Ｄ．2A，5Ω．3、正弦交流电压u=100sin(628t+60º)V，它的频率为（A）A．100Hz；B．50Hz；C．60Hz；Ｄ．628Hz．4、一阻值为3Ω、感抗为4Ω的电感线圈接在

2、交流电路中，其功率因数为（B）A．0.3；B．0.6；C．0.5；Ｄ．0.45、电力系统负载大部分是感性负载，要提高电力系统的功率因数常采用（B）A．串联电容补偿；B．并联电容补偿；C．串联电感补偿；Ｄ．并联电感补偿。6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D）A．串联反馈；B并联反馈；C．正反馈；Ｄ．负反馈。7、由一个三极管组成的基本门电路是（B）A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．异或门。8、在脉冲门电路中，应选择（B）的三极管。A．放大能力强；B．开关速度快；C．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散

3、功率高。9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D）A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．与非门。10、在Y形联接的三相对称电路中，相电流与线电流的相位关系是（C）A．相电流超前线电流30º；B．线电流超前相电流30º；C．相电流与线电流同相；Ｄ．相电流超前线电流60º。11、在三相四线制中性点接地供电系统中，线电压指的（A）的电压。A．相线之间；B．零线对地间；C．相线对零线间；Ｄ．相线对地间。12、三相四线制供电的相电压为220V，则线电压为（D）A．220V；B．250V；C．311V

4、；Ｄ．380V．13、纯电感电路中，（C）A．电流与电压同相位；B．电流与电压反相位；C．电压超前电流90º；Ｄ．电压滞后电流90º。14、阻值为4Ω的电阻和容抗为3Ω的电容串联，总复数阻抗为（D）ΩA．Z=3+j4；B．Z=3-j4；C．Z=4+j3；Ｄ．Z=4-j3。15、额定电压都为220V的40W、60W和100W三只灯泡串联在220V的电源中，它们的发热量由大到小排列为（B）A．100W、60W、40W；B．40W、60W、100W；C．100W、40W、60W；Ｄ．60W、100W、40W。1

5、6、应用戴维南定理求含源二端网络的输入等效电阻的方法是将网络内的电动势（D）A．串联；B．并联；C．开路；Ｄ．短接。17、用一只额定值为110V/100W的白炽灯和一只额定值为110V/40W的白炽灯串联后接到220V的电源上，当开关闭合时，（C）A．能正常工作；B．100W的灯丝烧毁；C．40W的灯丝烧毁；Ｄ．两只灯丝全烧毁。18、有一220V/1000W的电炉，今欲接在380V的电源上使用，可串联的变阻器是（B）A．100Ω/3A；B．50Ω/5A；C．30Ω/10A；Ｄ．50Ω/3A。19、应用叠加

6、定理计算线性电路时，（B）A．电压不可叠加；B．电流可以叠加；C．功率可以叠加；Ｄ．电压、电流和功率都可叠加。20、工程上，电路的暂态过程从t=-0大致经过（B）时间，就可认为到达稳定状态了。A．；B．；C．；Ｄ．。21、有一正弦交流电流，其初相位，初始值iO=10A，则该电流的幅值Im为（A）A．20A；B．14A；C．10A；Ｄ．28A。22、电感性负载并联电容器提高电路功率因数后，线路电流减小了，则测量用电量的瓦时计走字速度将（A）A．不变；B．加快；C．减慢；Ｄ．或快或慢。23、正弦交流电路的视在

7、功率的定义为（A）A．电压有效值与电流有效值的乘积；B．平均功率；C．瞬时功率的最大值；Ｄ．有功功率。24、对半导体而言，其正确的说法是（C）A．P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B．N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身都不带电；D．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V、4V、3.7V，则这3个极分别为（A）A．C、B、E；B．C、E、B；C．E、C、B。26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的

8、电位分别为-6V、-2.3V、-2V，则这-2.3V的那个极为（B）A．集电极；B．基极；C．发射极。27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（C）A．NPN型硅管；B．PNP型锗管；C．NPN型锗管；D．PNP型硅管。28、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC>0,UCE>0, 则此管工作在（B）A．放大区；B．饱和区；C．截止区。29、对某电路中的一个NPN型硅