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《微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究-论文.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、第33卷第2期红外与毫米波学报Vo1.33.No.22014年4月J.InfraredMillim.WavesApril,2014文章编号:1001—9014(2014)02—0139—05DO1:10.3724/SP.J.1010.2014.00139微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究苗凤娟,陶佰睿,胡志高。,褚君浩。(1.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;2.齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,黑龙江齐齐哈尔161006;3.华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海20024)摘要:采用溶胶.凝胶和旋涂抽滤方法,在硅
2、微通道(Si—MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650oC,700℃和750qC条件下制备Bi¨Nd。TiO。2/Si—MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si.MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大,同时BNT/Si.MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向,尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点,且剩余极化强度可达93.8~C/cm.关键词:铁电薄膜;微纳薄膜阵列;硅微通道板;钕掺杂太酸铋中图分类号:TN384文献标识码:APreparationandperformanceo
3、fmicro/nano·scaleBi3Nd0Ti3O12/Si-MCPferroelectricthinfilmarrays.15.85MIAOFeng—Juan’,TAOBai.Rui‘’,HUZhi—Gao,CHUJun.Hao’(1.NationalLaboratoryforInfraredPhysics,ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics.ChineseAcademyofSciences,Shanghai200083,China;2.CollegeofCommunicationsandElectronicsEngin
4、eering,QiqiharUniversity,Qiqihar161006,China;3.KeyLaboratoryofPolarMaterialsandDevices,MinistryofEducation,EastChinaNormalUniversity,Shanghai200241,China)Abstract:Themicro/nano—scaleBi3l5Nd085Ti3O12/Si—MCP(BNT/Si—MCP)ferroelectricthinfilmarrayswerefabri—catedsuccessfullybythesol—gel,
5、spin—coatingandpumpingfiltrationmethods.PrecursorsofBNTwerecoatedonthein—nerwallofSi—MCP.Bi3l】5Ndo85Ti3Ol2thinfilmsupportedbySi—MCPwerepreparedviaannealinginoxygenatmos—phereat600℃,650oC,700℃and750oC,respectively.TheferroelectricpropertiesandmicrostructuresofBr/Si—MCPfilmarrayswerech
6、aracterized.Theresultsshowthatwiththeincreaseofannealingtemperature.thesizeofBNTgrainlocalizedontheinnerwallofSi—MCPincreases,theuniformityofthesurfaceandthedegreeoforientationalongtheC-axisincrease,too.Thelargestremanentpolarization(93.8ixC/cm)andlowestleakagecurrentofthemicro/nano—
7、scaleBNT/Si—MCParrayswereobtmnedannealingat750oC.Keywords:ferroelectricfilms,micro—nanofilmarrays,SiMCP,BNTPACS:77.22.Gm点,在非易失性铁电存储器、铁电场效应管和电光调引言制器件等领域应用潜力巨大⋯.为了进一步提高其钛酸铋薄膜材料由于具有剩余极化大、热处理性能,人们通过稀土元素掺杂BiTiO来构建改性温度低、良好的铁电、介电、压电、热释电和光电等特的铁电薄膜材料,以期得到性能更好并且与传统硅收稿日期:2013一Ol一12,修回日期:2013.09
8、—04Receivedd
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