欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:53742385
大小:659.50 KB
页数:6页
时间:2020-04-22
《高斯分布激光前向转印Cu薄膜形貌及机理-论文.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、第4O卷第3期中国激光Vo1.40,No.32013年3月CHINESEJOURNALOFLASERSMarch,2013高斯分布激光前向转印Cu薄膜形貌及机理刘威窦广彬王春青田艳红叶交托/哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江哈尔滨150001、\英国帝国理工大学电子与电气工程系,伦敦sw72BT/摘要激光诱发前向转印技术,作为一种微加工手段,具有制备微小结构的能力,目前已经成为微细加工领域的研究热点。通过改变高斯分布激光脉冲功率密度,进行了Cu薄膜在石英玻璃表面的转印实验,并对转印沉积薄膜进行了光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)表
2、面氧化状态分析,探讨了激光脉冲功率密度与沉积薄膜的尺寸、特殊形貌以及薄膜厚度均匀性的关系,并在此基础上研究了激光转印Cu薄膜的机理。结果表明,当激光平均脉冲功率密度达到1×10W/cm。时,Cu薄膜的转印才可以发生。随着激光脉冲功率密度的增加,转印Cu薄膜尺寸增加,并由薄膜转变为圆环形,最终尺寸达到一定值。激光转印薄膜表层10am以下,基本上没有氧化发生。薄膜附着在基板上,连接紧密,并未观察到明显的扩散迹象。关键词薄膜;形貌及界面;激光诱发前向转印;微结构制造中图分类号0484.4文献标识码Adoi:10.3788/CJL2Ol340.0307002Morphologyand
3、MechanismofGaussianDistributedLaserInducedForwardTransferCuFJimLiuWeiDouGuangbin,。WangChunqingTianYanhongYeJiaotuoStateKeyLaboratoryofWeldingandJoining,HarbinInstituteofTechnology,Harbin,Heilongjiang150001,ChinaDepartmentofElectricalandElectronicEngineering,ImperialCollegeLondon,LondonSW72B
4、T,UnitedKingdomAbstractAsamethodofmicrofabrication。1aserinducedforwardtransfer(LIFT)technologycanbeusedtomakemicrOstructures.Presently,thefabricationprocesshasbecomeapopularissueinthefieldofmicro—machining.ACuthinfilmistransferredfromonequartzsubstratetoanotherquartzsubstratebyregulatingthe
5、pulsepowerdensityofGaussiandistributedlaserbeam.ThetransferredCuthinfilmischaracterizedbyopticalmicroscopy,scanningelectronmicroscopy(SEM),andX—rayphotoelectronmicroscopy(XPS)analysis.Therelationshipbetweenpulsepowerdensityoflaserbeamandsize,specialmorphologyanduniformityoftransferredCufilm
6、iSdiscussed,andtheoxidationconditionofthetransferredCufilmisalsostudied.Moreover,themechanismofthetransferredprocessisanalyzedbasedontheresults.ItiSfoundthattheCufilmtransferprocesscanberealizedwhentheaveragepulsepowerdensityoflaserbeamreaches1×10W/cm.Withtheincreaseofpulsepowerdensityoflas
7、erbeam.thesizeoftransferredCufilmisalsoenlarged,andreachesacertainvalueatlastwiththemorphologytransformingfromplanetocrater-shape.AlmostnooxidationphenomenonisobservedontheCuwhentransferredCufilmissputteredoff10nminthickness.Thetransferredfilmadhereswel1
此文档下载收益归作者所有