SiCP增强Al基复合材料真空钎焊研究-论文.pdf

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1、《热加工工艺》2014年7月第43卷第13期SiCP增强Al基复合材料真空钎焊研究王鹏．牛济泰f1．河南理工大学材料学院，河南焦作454000；2．河南晶泰航空航天高新材料科技有限公司，河南焦作454000)摘要：采用真空钎焊方法分别研究了高体积比SIC}6063A1复合材料不电刷镀铜钎焊及先电刷镀铜后再钎焊的连接特性。考察了镀铜层对真空钎焊质量及接头性能的影响。结果表明，镀铜层可明显改善A157．5-Cu31．5-Mg6一Sn5箔状钎料对复合材料的润湿性，钎焊接头致密完整，在580℃、保温30min的条件下，获得最大抗剪强度为145．6MPa，断裂发

2、生在复合材料内部。然而不电刷镀铜钎焊后，接头存在间隙，断15表明断裂发生在钎料与复合材料连接界面处，钎焊质量差。因此，高体积比SiC~6063A1复合材料表面电刷镀铜是改善其焊接性的有效方法之一。关键词：真空钎焊；SiCd6063AI复合材料；刷镀铜；断口形貌中图分类号：TG454文献标识码：A文章编号：1001—3814(2014)13-0017-03ResearchonVacuumBrazingCharacteristics0fSiCPReinforcedAluminiumMatrixCompositeⅥANGPeng．NIUJitai(1．Col

3、legeofMaterialsScienceandEngineering，HenanPolytechnicUniversity，Jiaozuo454000，China；2．HenanJingtaiAdvancedMaterialsTechnologyCo，Ltd．，inAerospace，Jiaozuo454000，China)Abstract：Withandwithoutcopper-brushplating，thejoiningcharacteristicsofSiCp／6063A1compositewithhighvolumefractionwa

4、sinvestigatedbyvacuumbrazingprocess．Thejoiningperformanceofcopper-platinglayerwasstudied，andthejointswereestimated．TheresuRsindicatethatthecopper-platinglayerimprovesthewettabilityofA157．5一Cu31．5一Mg6一Sn5foiltocompositeobviously，andgetahighshearstrengthof145．6MPaat580~C，holdingfo

5、r30min，thefractureoccursinsidethecomposite．However，therearemuchsmallintervalsamongthejointswithoutcopper-plating，thefractureappearanceindicatesthatthefracturejusthappensbetweenthesolderfoilandcomposite，whichCallleadtoapoorsolderedjoint．Inaword，copper-brushplatingisoneefectiveway

6、toimprovetheweldabilityofSiC~／6063A1compositewithhighvolumefraction．Keywords：vacuumbrazing；SiCp／6063A1composite；copper-brushplating；fractureappearanceSiCp／Al复合材料因其具有高比强度、比刚度、比此．本文以体积分数是60％的SiCp／6063A1复合材模量，抗辐射和较小热膨胀系数等优点而被广泛应用料为焊接母材，在相同钎焊温度和保温时间下，对比于航空航天、武器装备、活塞和电子行业等，尤其在研究了复合材料

7、不电刷镀铜钎焊及先电刷镀铜后再相控阵雷达T／R模块电子封装领域，高体积比钎焊对接头性能的影响，并通过金相显微镜、扫描电SiCdA1复合材料是集质轻、尺寸稳定性好、耐高温等镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察并分析接头微观组织优良特性于一身，成为学者们研究替代传统电子封装和成分，为优化高体积比SiCp／6063A1复合材料的焊材料的新对象[5-8]。然而基体合金和SiC颗粒间物化性接工艺提供理论和实验依据。能存在较大差异，严重影响钎料对其润湿铺展，焊后1试验材料与方法气密性低，阻碍了它在电子封装中的应用。真空加压钎焊和表面金属化是改善SiC~／Al复试验母

8、材为压力浸渗法制备的60vo1％合材料焊接性和气密性最直接有效的方法[9-11]。鉴SiCp／