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1、第14卷第2期哈尔滨理工大学学报Vol114No122009年4月JOURNALOFHARBINUNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHNOLOGYApr.2009无机纳米-聚酰亚胺复合薄膜介电性研究111,2张沛红,薛玉翠,杨春(1.哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150040;2.上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海200240)摘要:测试了纳米Al2O3-聚酰亚胺(PI)复合薄膜和纳米SiO2-聚酰亚胺复合薄膜的介电常数、介质损耗角正切和电导电流特性.结果表明,随着无
2、机物含量的增加,两种复合薄膜的相对介电常数和介质损耗角正切增大,电老化阈值减小;无机物含量相同时,Al2O3-聚酰亚胺复合薄膜的相对介电常数和介质损耗角正切比SiO2-聚酰亚胺复合薄膜大,电导电流大,电老化阈值小.关键词:无机纳米-聚酰亚胺复合薄膜;介电常数;介质损耗角正切;电老化阈值中图分类号:TM201142文献标识码:A文章编号:1007-2683(2009)02-0098-05StudyontheDielectricPropertyofNano2inorganic2polyimideCompos
3、iteFilms111,2ZHANGPei2hong,XUEYu2cui,YANGChun(1.SchoolofElectricalandElectronicEngineering,HarbinUniversityofScienceandTechology,Harbin150040,China;2.SchoolofElectricalandElectronicEngineering,ShanghaiJiaotongUniversity,Shanghai200240,China)Abstract:Thec
4、haracteristicsofpermittivityanddissipationfactorandconductioncurrentofnanoAl2O32poly2imidecompositefilmandnanoSiO22polyimidecompositefilmweremeasured.Experimentresultsshowedthatthepermittivityanddissipationfactorofthetwokindsofcompositefilmsincreaseandth
5、eelectricalageingthresholdde2creasewithincreasingofnanoinorganiccontent,thepermittivityanddissipationfactorofnanoAl2O32polyimidecompositefilmarelargerthanthatofnanoSiO22polyimidecompositefilmandtheelectricalageingthresholdoftheformerissmallerthanthatofth
6、elatter.Keywords:nano2inorganic2polyimidecompositefilms;permittivity;dissipationfactor;electricalageingthreshold的颗粒、纳米厚度的薄片或纳米尺度直径的纤[3]1引言维.由于填充物非常大的表面积,很少量的纳米填充物能够形成骨架状结构.与传统微米尺度填充纳米科学技术的发展为新材料的开发和对现有物比较,相同体积分数的纳米填充物包含10亿倍的材料的改性提供了新的思路和途径,纳米介质的出纳米颗粒.如果1
7、立方米的材料中含有10%V/V的2[4]现,开辟了电介质新的应用领域.与传统介质比较,直径10nm的球粒,总的界面面积约为60km.纳纳米复合介质的电、热、机械性能有了很大的改米复合聚合物中的纳米填充物/聚合物界面,是聚合[1-2][5]善.纳米复合介质指的是介质中加入纳米尺度物性能改变的关键.收稿日期:2008-12-30基金项目:黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11511076)作者简介:张沛红(1962—),女,教授,博士.第2期张沛红,等:无机纳米-聚酰亚胺复合薄膜介电性研究99根据对纳米复合物
8、的不同要求,纳米填充物可录电导电流.[6]以是绝缘体、半导体或金属纳米颗粒.目前已经在聚合物如聚乙烯、硅有机树脂、环氧树脂、聚酰胺3结果与分析和聚酰亚胺,填充物如三氧化二铝(alumina,Al2O3)、二氧化钛(titania,TiO2)、二氧化硅(silica,SiO2)和311复合薄膜的介电常数和介质损耗角正切与频层状硅酸盐(layeredsilicates)的研究方面取得了一率和无机物含量的关系些结果,复合物包括环氧树脂-TiO2、
