透射式GaAs(Cs,O)光电阴极发射电子横向能量的研究.pdf

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1、第19卷第4期红外与毫米波学报Vol.19No.42OOO年"月J.InfraredMillim.#avesAugust2OOO透射式GaAS(CSO)光电阴极发射电子横向能量的研究闫金良朱长纯(西安交通大学电信学院陕西西安71OO49)向世明(西安应用光学研究所陕西西安71O1OO)摘要制备了透射式GaAs阴极组件测量了GaAs阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化用扫描电镜观察GaAs(CsO)阴极表面形貌结果表明:GaAs(CsO)阴极发射电子横向能量取决于GaAs晶格温度~阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射与(C

2、sO)激活层无关.关键词光电发射像增强器外延散射.TRANSVERSEENERGOPHOTOELECTRONSEMTTEDROMTRANSMSSONMODEGaAS(CSO)PHOTOCATHODESYANJing-iangZ~UChang-Chun(SchoolofelectronicsandInformationengineeringXi'anJiaotongUniversityXi'anShaanxi71OO49China)XIANGShi-Ming(Xi'anInstituteofAppliedOpticsXi'anShaanxi71O1OOCh

3、ina)AbStractAGaAstransmissionphotocathodestructureWasprepared.ThevariationsofthecathodephotosensitivityandmeantransverseenergythroughthecourseoftypicalactivationsWeremeasuredsystematicallyinthephotocathodeacti-vationandimagingsystem.TheGaAs(CsO)photocathodesurfaceWasexaminedbysca

4、nningelectronmicroscope.ItWasconcludedthatthetransverseenergyofphotoelectronsemittedfromGaAs(CsO)photocathodesWhichislargelyindependentofthe(CsO)activationlayerisdeterminedbytheGaAslatticetemperaturephotocathodesurfacerough-nessandmultiplescatteringprocessesintheband-bendingregio

5、n.KeywordSphotoemissionimageintensifierepitaxyscattering.[123!meV.迄今为止人们对GaAs(CsO)阴极发射电引言子横向能量的产生机理尚未清楚.1965年一种新型光电发射体GaAs:Cs出现在本文制备透射式GaAs阴极组件测量了阴极激光电发射领域它以理论模型的概念新颖及发射体本活过程中光电灵敏度和电子平均横向能量随激活时间身量子效率高暗发射小光电子能量分布和角分布集的变化用扫描电镜观察了GaAs(CsO)阴极的表面中等特点在这个领域引起了深刻变化从此GaAs负形貌讨论了GaAs(CsO)阴极

6、发射电子横向能量的电子亲和势光电发射材料成为广泛的研究课题.然而产生机制.本工作有益于深入理解GaAs(CsO)阴极不同研究者给出的GaAs(CsO)光电阴极发射电子的发射电子横向能量的产生机理为高质量GaAs(Cs平均横向能量差异较大数值从1meV到1OOO)阴极的研制奠定了基础.国防科技重点基金(编号:2.2.3.1)和中国博士后科学基金(编号:TheprojectsupportedbytheFundofScienceandTechnologyofNa-1999:17)资助项目tionalDefense(No.2.2.3.1)andPostdocto

7、ralScienceFoundationof稿件收到日期1999-O7-15修改稿收到日期2OOO-O3-O6China(1999.17).Received1999-O7-15revised2OOO-O3-O6278红外与毫米波学报19卷1实验用MCVD技术在GaAS衬底上外延生长GaAIAS/GaAS/GaAIAS结构,在顶层的GaAIAS钝化层上沉积Si钝化增透膜,将钝化层GaAIAS3N4/Si2和Corning7056玻璃视窗热粘结.分别用选择性腐蚀液去掉GaAS衬底和GaAIAS层,得到GaAS/GaAIAS/(Si3N4/Si2)/玻璃结构,

8、即透射式GaAS阴极组件.阴极组件的发射层GaAS(100)是P型重掺杂18-3