gaas光电阴极缺陷特性研究

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1、声明本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果，尽我所知，在本学位论文中，除了加以标注和致谢的部分外，不包含其他人已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得任何教育机构的学位或学历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均已在论文中作了明确的说明。研究生签名：年月日学位论文使用授权声明南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档，可以借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容，可以向有关部门或机构送交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对于保密论文，按保密的有关规定和程序处理。研究生签名：年月日硕上论

2、文Gabs光电阴极缺陷特性研究摘要㈣6㈣20㈣32Y20GaAs基片是制备三代微光像增强器光电阴极的主要材料，其质量对光电材料的量子效率、分辨率等关键参数有着至关重要的影响，GaAs光电阴极的针孔瑕疵是其质量好坏的最直观表现，且成因复杂，对GaAs光电阴极品质有重要影响。优质的Gahs多'b延材料是实现激活高灵敏度阴极的先决条件，是提高像增强器成品率的关键所在。本课题针对GaAs光电阴极缺陷进行理论研究，并运用数据库对GaAs的表面缺陷进行了数据分析，揭示其内在联系，从而改进工艺，生产出性能更可靠的产品。本文介绍了GaAs光电阴极的制备及

3、发展，结合GaAs光电阴极光电发射过程推导了反射式和透射式光电阴极的量子效率，结合公式分析了影响量子效率的关键参数；结合缺陷能级分析了复合中心、陷阱效应以及复合中心对电子寿命的影响；理论推导了俘获截面对电子扩散长度和量子效率的影响，温度是影响俘获截面的关键因素；利用表面结构模型，分析表面缺陷对电子亲和势、Cs／O激活模型的影响，得出对GaAs电子逸出几率和量子效率的影响；利用数据库存储分析系统，有效分析了GaAs基片及光电阴极缺陷数据的分布情况，总结其中的规律。最后通过对课题工作的总结，分析了课题研究的不足并对以后的深入研究作了展望。关键

4、词：光电阴极，电子捕获，微缺陷，俘获截面，数据分析Abstract硕士论文GaAssubstrateisthemainmaterialtoproducephotocathodeofthethirdgenerationlow-light—levelimageintensifier,itsqualityhasimportantinfluencetothekeyparametersofoptoelectronicmaterials，suchasquantumefficiencyandresolution．GaAsphotocathodepinh

5、oledefectiSthemostintuitiveperformanceofthequalitywhichhasmajorimpactonthequalityofGaAsphotocathode，andithascomplicatedcauses．Therefore，high—qualityGaAsepitaxialmaterialisprerequisiteforactivationofthehighsensitivityofthecathode，itisthebasistoimproveyieldofimageintensifie

6、rdevice．ThetopicofthispaperistheoreticalresearchfortheGaAsphotocathodedefects，weusethedatabasefortheanalysisoftheGaAssurfacedefectsandrevealitsintrinsiclink,inordertoimprovetheprocessandproducemorereliableproduct．，ThispaperdescribesthepreparationanddevelopmentofGaAsphotoc

7、athodeandderivatethequantumefficiencyformulaofreflectiveandtransmissionphotocathodecombinedwitllphotoemissiontheory．Weanalyzethekeyparameterswhichaffectthequantumefficiencycombinedwiththeformula；combinedthedefectlevels，weanalyzetherecombinationcenters，thetrapeffectandimpa

8、ctrecombinationcentersontheelectroniclife；wetheoreticallyanalyzetheimpactofthecapturecrosssectio