射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质.pdf

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1、1000-7032(2011)10-1004-05射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质高振杰杨元政谢致薇王彦利广东工业大学材料与能源学院,广东广州510006摘要:用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了ZnO:Eu3+薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪测试了薄膜结构、形貌以及发光性能,重点考察了溅射功率和退火工艺对其组织结构和发光性能的影响。结果表明:样品均呈现ZnO的六角纤锌矿结构,增大溅射功率有利于形成ZnO的c轴择优取向;增大溅射功率以及高温退火会使晶粒尺寸增大;观察到稀土元素内部4f壳层的电子跃迁以及

2、从ZnO基质到Eu3+离子之间的能量传递现象,增大溅射功率以及780℃退火能提高ZnO:Eu3薄膜的发光特性。ZnO:Eu3+;光致发光;磁控溅射O482.31;O484.1A10.3788/fgxb20113210.10042011-04-062011-06-30国家自然科学基金(50771037);高等学校博士学科点专项科研基金(200805620004)资助项目高振杰(1984-),女,江苏连云港人,主要从事ZnO发光薄膜的研究。E-mail:gzi65403201@sohu.com10051006@@[1]YouJB,ZhangXW

3、,FanYM,etal.EffectsofcrystallinequalityontheultravioletemissionandelectricalpropertiesoftheZnOfilmsdepositedbymagnetronsputtering[J].Appl.SurfSci.,2009,255(11):5876-5880.@@[2]WangXianghu,LiRongbin,CongChunxiao.ElectricalandopticalpropertiesofLi-dopedZnOnanorods[J].Chin.J.L

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8、parationofLiandErcodopedZnOthinflmsandtheirphotoluminescence[J].ThinSolidFilms,2009,517(1

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