新型yb^2＋掺杂微晶玻璃光谱特性分析

《新型yb^2＋掺杂微晶玻璃光谱特性分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、上海理工大学学报第32卷第4期J．UniversityofShanghaiforScienceandTechnologyVo1．32No．42010文章编号：1007—6735(2010)04—0355—04新型Yb2+掺杂微晶玻璃光谱特性分析方达伟，李晨霞，徐时清，庄松林(1．上海理工大学光ca信息与计算机工程学院，上海200093；2．中国计量学院光电子技术研究所，杭州310018)摘要：通过高温熔融法和热处理成功制备了Yb2掺杂Si02一203一ZnO—K2C03微晶玻璃．测试了微晶玻璃的X射线衍射谱(Ⅺ)、激发光谱和荧光光谱．研究发现：X射线衍射谱表

2、明了玻璃基质中存在—Zn2Si04纳米晶粒，根据XRD结果和Scherrer公式计算得到p—Zn2Si04晶粒大小约为38nm．在280nm紫外光激发下，观察到Yb2掺杂微晶玻璃的宽带蓝光(400~460nm)和宽带黄绿光(475~600nm)发光，其中蓝光对应微晶玻璃基质发光，黄绿光对应Yb2的4f坞5d一4f能级跃迁发光，经色坐标换算得到微晶玻璃的色坐标为(0．2908，0．3386)落在白光区域内．研究结果表明，Yb2掺杂的S一z03一ZnO—K2C03微晶玻璃是一种白光LED潜在材料．关键词：微晶玻璃；镱离子；X射线衍射中图分类号：TQ171文献标志

3、码：AOpticalpropertiesofnovelYb2+dopedglassceramicsFAN(3D~wei，LICh~xia2，XUShi．qin0，ZHUANGSong-lid(1．SchoolofOptical-ElectricalandComputerEngineering，UniversityofShanghaiforScienceandTechnology，Shanghai200093，China；2．OptoelectronisTechnologyInstitute，ChinaJiliangUniversity，Hangzhou310

4、018，China)Abstract．AnovelYb2dopedglassceramicwaspreparedbythemeltquenchingmethodandsub—sequentheattreatment．ItsX—raydiffraction(XI)pattern，excitationspectrumandemissionspectrumweremeasuredatroomtemperature．BytheX—raydiffractiondiffusiondata，itisdemon—stratedthecrystallitesof8一Zn2Si

5、oexistintheglass-ceramic．Theaveragesizeof8一Zn2Si04nanocrystalsisabout38nmcalculatedbasedontheScherrerequation．Under280amexcitationtheblueemissionband(400—460nm)originatedfromZTr一0andgreenemissionband(475—600nm)originatedfromthe4f。5d—4fMtransitionofYb2ioncanbeobservedinY1)2dopedglas

6、sceram-ics．TheCIEcoordinate(0．2908，0．3386)oftheYb2dopedglassceramicslieswithinthebandofwhite—lightillumination．TheresultsindicatethatYb2dopedglassceramicscontaining—Zn2Si04nanocrystalscanactassuitablematerialforwhitephosphors．Keywords：glass—ceramic；Ybion；X—raydiffraction随着蓝光、绿光和紫光在

7、照明、显示以及短波激是允许跃迁，谱线较宽且发光的衰减时间较短，因此光器领域上的广泛应用，二价镧系离子的4f一5d能比三价离子有更强的紫外或可见发光．由于二价稀级跃迁发光受到越来越多的重视．4f-5d能级跃迁土离子的5d轨道裸露在外，受环境的影响较大，因收稿日期：2010—04—12基金项目：国家自然科学基金资助项目(60508014)作者简介：方达伟(1958一)，男，博士研究生．E-mail：fdw@hutc．zj．cn工作单位：中国计量学院光电子技术研究所，杭州310018上海理工大学学报2010年第32卷此稀土离子的4f一5d跃迁的谱带位置更多地取决的

8、加热速度为2℃／min~5℃／min．热处理的第二于