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时间:2020-04-03
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1、实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试厦门大学通信工程系林XX一.实验目的:1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法;2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法;3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。二.实验原理:(一)TTL门电路:TTL门电路是标准的集成数字电路,其输入、输出端均采用双极型三极管结构:凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性,故需了解TTL门电路的主要参数。7400是TTL型中速二输入端四与非门。图1是它的内部电路原理图和管脚排列图。1、TTL与非门的主要参数:(1)输入短路电流:IIS:与非门某输入端接
2、地时,该输入端接入地的电流。(2)输入高电平电流IIH:与非门某输入端接VCC(5V),其他输入端悬空或接VCC时,流入该输入端的电流。TTL与非门特性如图2所示:(3)开门电平VON:使输出端维持低电平VOL所需的最小输入高电平,通常以VO=0.4V时的Vi定义。(4)关门电平VOFF:使输出端保持高电平VOH所允许的最大输入低电平,通常以Vo=0.9VOH时的Vi定义。阀值电平VT:VT=(VOFF+VON)/2(5)开门电阻RON:某输入端对地接入电阻(其他悬空),使输出端维持低电平(通常以VO=0.4V)所需的最小电阻值。(6)关门电阻ROFF:某输
3、入端对地接入电阻(其他悬空),使输出端保持高电平VOH(通常以VO=0.9VOH所允许的最大电阻值)。TTL与非门输入端的电阻负载特性曲线如图3所示。(7)输出低电平负载电流IOL:输出保持低电平VO=0.4V时允许的最大灌流(如图4);(8)输出高电平负载电流IOH:输出保持高电平VO=0.9VOH时允许的最大拉流;(9)平均传输延迟时间tpd:开通延迟时间tOFF:输入正跳变上升到1.5V相对输出负跳变下降到1.5V的时间间隔;关闭延迟时间tON:输入负跳变上升到1.5V相对输出正跳变下降到1.5V的时间间隔;平均传输延迟时间:开通延迟时间与关闭延迟时间
4、的算术平均值。tpd=(tON+tOFF)/2TTL与非门平均传输延迟时间示意图如图6所示。2、TTL与非门的电压传输特性:TTL与非门的电压传输特性是描述输出电压VO随输入电压Vi变化的曲线,如图7所示。从Vi~Vo曲线中,形象地显示出VOH,VOL,VON,VOFF,VT之间的关系。(二)CMOS门电路:COMS门电路是另一类常用的标准数字集成电路,其输入、输出结构均采用单极型三极管结构,凡COMS电路特性均具有CMOS门电路形同的特性。C4011是CMOS二输入端四与非门。下图是内部电路原理图和管脚排列图。1、CMOS门电路的主要参数:(1)由于CMO
5、S门电路输入端具有保护电路和输入缓冲,而输入缓冲为CMOS反相器,为电压控制器件,故当输入信号介于0~Vdd时,Ii=0;多余输入端不允许悬空;(2)输出低电平Iol:使输出保持电平Vo=0.05V时允许的最大灌流;(3)输出高电平负载电流Ioh:使输出保持高电平Vo=0.9Voh时的最大拉流;(4)平均传输延迟时间Ty:同TTl门电路定义。2、CMOS门电路的电压传输特性3、与非门的逻辑特性输入有低,输出就高;输入全高,输出就低。(三)TTL电路与CMOS电路的接口设计:(图见书上)Voh(min)>=V1h(min)Vol(max)<=Vil(max)I
6、on(max)>=nIih(max)Iol(max)<=mIil(max)三、实验仪器示波器,函数信号发生器,“四位半”数字多用表,多功能电路实验箱四、实验内容1、TTL、CMOS与非门主要参数的测量(1)IIS、VOH、IIH、VOL:实验电路如图,将输入端2串接电流表“A”到地,此时电流表指示值为IIS。电压表指示值为VOH。实验电路如图13所示,将输入端2串接电流表“A”到电源,此时电流表指示值为IIH,电压表指示值为VOL(测量VOH时应接模拟负载电阻2K,测量VOL时应接入模拟灌流电阻390欧姆)。(2)TTL、CMOS与非门灌流负载能力测试:实验
7、电路如图13所示。电流表量程置200mA。将Rw组建缩小,当输出电压上升到0.4v(CMOS)为0.5V时,电流表测量值为IOL。(3)TTL、CMOS与非门拉流负载能力测试实验电路如图14所示。电流表量程20mA,将Rw组建缩小,当输出电压下降到0.9VOH时,电流表测量值为IOH。(4)TTL、CMOS与非门平均传输延迟时间的测量:测量电路如图15所示。三个与非门首尾相接便构成环形振荡器,用示波器观测输出震荡波形,并测出振荡周期T,计算出平均传输延迟时间Ty=T/6.(5)将上述测量参数填入表一表一TTL参数参数IISIIHVOHVOLIOHIOLtpd
8、TTL0.9534mA9.942uA3.456V0.
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