半导体材料名词解释.docx

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1、第二章1.半导体：电导率介于金属和绝缘体之间的材料称为半导体。2.本征半导体：完全纯净的半导体称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。3.本征激发：当T升高或光线照射时,产生自由电子空穴对的现象称为本征激发。4.N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。5.N型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。6.半导体掺杂：本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。7.内建电场：由

2、于N型半导体中有富裕的自由电子，而P型半导体中有富裕的自由的空穴，所以当P型和N型半导体接触时，P型半导体中的空穴就会向N型中扩散，而N型半导体中的电子向P型中扩散，结果是P型端带负电，而N型端带正电。因而会形成内建电场，内建电场的方向从N型端指向P型端，从而又阻止电子和空穴的扩散。最后，依靠电子和空穴浓度梯度的扩散和内建电场的电作用达到平衡，在接触面附近形成一个耗尽层，即p-n结。第三章1.自由载流子吸收：毫米波和微波2.杂质吸收：杂质粒子的跃迁3.声子吸收：晶格振动引起4.激子吸收：激子的形成5.带间吸收：价

3、带到导带的跃迁6.自发辐射：原子在没有外界干预的情况下，电子会由处于激发态的高能级E2自动跃迁至低能级E1，这种跃迁称为自发辐射。7.受激吸收：当原子中的电子处于低能级时，吸收光子的能量后从低能级跃迁到高能级----光吸收。8.受激辐射：当原子中的电子处于高能级时，若外来光子的频率恰好满足时，电子会在外来光子的诱发下向低能级跃迁，并发出与外来光子一样特征的光子----受激辐射。9.粒子数反转:10.泵浦（激励）:闪光灯或另一种激光器以及气体放电激励、化学激励、核能激励。11.激光工作物质:激光器最重要的部分是工作

4、物质，包括激活离子和基质。12.费米能级:绝对零度时电子的最高能级。13.禁带宽度:一个能带宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。14.自终止跃迁方式:第四章1.传感器：传感器是能够感受规定的被测量并按一定规律转换成可用输出信号的器件或装置。2.电阻-应变效应：电阻-应变效应是指金属导体的电阻在导体受力产生变

5、形（伸长或缩短）时发生变化的物理现象。当金属电阻丝受到轴向拉力时，其长度增加而横截面变小，引起电阻增加。反之，当它受到轴向压力时则导致电阻减小。3.压阻效应：压阻效应指当半导体受到机械力作用时，由于载流子迁移率的变化，使其电阻率发生变化的现象。4.压电效应：压电效应某些电介质，在一定方向上受到外力作用而变形时，内部会产生极化现象，同时在其表面上会产生电荷。当外力去掉后，又重新回到不带电状态的现象。5.热电效应：将两种不同材料的导体A和B串接成一个闭合回路，当两个接点温度不同时，在回路中就会产生热电势，形成电流，此

6、现象称为热电效应。6.热释电效应：热释电效应当一些晶体受热时，在晶体两端会产生数量相等而符号相反的电荷，从而产生电极化的现象。7.外光电效应：在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。向外发射的电子称为光电子。如光电管、光电倍增管等。8.内光电效应：半导体材料受到光照时会产生电子-空穴对,使其导电性能增强,光线愈强，阻值愈低，这种光照后电阻率发生变化的现象,称为内光电效应。如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。9.光电导效应：内光电效应又分光电导效应和光生伏特效应。在入射光的作用下，电子吸收光子能量从

7、键合状态过渡到自由状态，从而引起材料电导率变化的现象，称为光电导效应。光生伏特效应是利用半导体PN结在光的照射下产生光电动势的现象。当大于禁带宽度的光子照射到PN结后，电子会被激发并在内建电场作用下形成光电动势。10.本征光电导：由带间吸收形成的载流子产生的电导称为本征光电导。11.非本征光电导：当入射光子能量小于材料的禁带宽度时，束缚在杂质能级上的电子和空穴也可能被激发到导带或价带上形成自由载流子并产生电导，这种电导称为非本征光电导。12.光生伏特效应：光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。13

8、.霍尔效应：定义1：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。定义2：通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。第五章1.磁化曲线：定义1：表示物质磁感应强度、磁极化强度或磁化强度作为磁场强度函数的曲线。定义2：表示某种铁磁物质的磁感应强度随磁场强度变化的曲线。2.磁滞回线：当