等离子法制备氮化铝粉末原料的研究.pdf

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1、第30卷增刊硅酸盐学报Vol.30,Supplement2002年10月J0URNAL0FTHECHINESECERAMICS0CIETY0ctober,2002———————————————————————————————————————————————————————————————1。。。。。。1。简报。等离子法制备氮化铝粉末原料的研究1。。。。。1。禹争光,扬邦朝(电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054)摘要:以金属铝粉和氮气为原料通过直流电弧等离子法制备氮化铝粉末,经羧酸与盐酸混酸在常温超声条件化学纯化后,X衍射分析表明:制备出纯度高的氮化

2、铝粉末;样品SEM照片显示:处理后AlN粉末粒度为2!5"m存有少量氮化铝晶须。关键词:氮化铝;直流电弧等离子;化学纯化;氮化铝晶须中图分类号:T@174文献标识码:A文章编号:0454-5648(2002)S0-0096-02STUDYONPREPARATIONoMAINPOWDERbyDCARCPASMAYUzhengguang,YANGBangchao(InstituteofMicroelectronicsandSolidStateElectronics,UniversityofElectronicandScienceTechnologyofChina,C

3、hengdu610054)Abstract:AlNpoWdersWerepreparedbyusingthemetalaluminumpoWderandnitrogenasraWmaterialsandDCarcplasmamethod.ByputtingthepoWderintothemixtureofhydrochloricacidandcarboxylacid,mixingsupersonicallyatroomtemperature,anddryingit,thepurifiedAlNpoWderWasobtained.TheXRDandSEMresul

4、tsshoWthatthesamplegetshighpurity,particlesizerangesfrom2to5"mandsomeAlNexistsasWhiskersatthesametime.Keywords:aluminumnitride;directcurrent-arcplasma;chemicalpurity;aluminumnitrideWhisker20世纪70年代后,随着微电子技术的飞速发展,集成目前制备氮化铝粉体的方法主要有:氧化物还原氮化电路集成度和工作频率都大幅度提高,单位平方上消耗功法、等离子化学法、熔炼法、有机法和直接氮化法等

5、。其中等率也随之增大,随之而来的基片散热和基片与硅片的热匹离子化学法由于等离子火炬区温度高,中心火焰温度可达配就成了急需解决的问题。在诸多基片材料中,由于AlN8000!10000K;高温度梯度;反应区内(火焰区中)活性基陶瓷具有高导热率[1],其与Be0,SiC和Al基片随温度203团多,可在短时间完成化学反应。反应原理方程:Al+变化曲线、低介电常数、热膨胀系数与硅大致相当、绝缘(体1N2。A1N,铝金属完全气化的温度是2767K。电阻>1014#·cm、可常压烧结、可采用与Al203相似的基片2[4,5]。工艺和无毒等特点,氮化铝成为大功率器件、混合集成电

6、路1823K时,只需2s可完成上述反应(HIC)以及多芯片组件(MCM)电子封装中理想的基片材等离子法制备氮化铝粉末装置(见图1)主要由下列部分料[2,3],氮化铝基片的表面粗糙度可达0.01!0.05,在组成:直流电弧等离子发生器,等离子火焰炬,等离子反应"m基片表面薄膜金属化也很理想,综合性能优于Be0,SiC和腔室,反应气体瓶,反应冷凝装置,送料装置,旋风分离装Al203陶瓷基片,其应用前景十分广阔。置和真空尾气通道。实验所采用原料为高纯金属铝粉(过60目)、高纯氮气、1实验高纯氢气和高纯氩气。制备过程如下:首先由氩气引弧,然收稿日期:2002-03-11

7、。修改稿收到日期:2002-06-07。Receiveddate:2002-03-11.Approveddate:2002-06-07.作者简介:禹争光(1970!),男,博士研究生。Biography:YuZhengguang(1970—),male,postgraduatefordoctordegree.E-maiI:yuzg$alibaba.com第30卷增刊禹争光等:等离子法制备氮化铝粉末原料的研究·97·Dcplasma2!5"m之间,其中部分呈晶须状,晶须直径:0.1!torch0.5"m,晶须长度:1!2"m,纵横比:9!15。D.c.+!AlNg

8、enerator2.35

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