包被试剂对CdS量子点化学发光特性的影响.pdf

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1、第4O卷第1期陕西师范大学学报(自然科学版)Vo1．40NO．12012年1月JournalofShaanxiNormalUniversity(NaturalScienceEdition)Jan．，2012文章编号：1672—4291(2012)01—0042—04包被试剂对CdS量子点化学发光特性的影响张治宁，李保新(陕西省生命分析化学重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，陕西西安710062)摘要：分别以半胱胺(CA)、半胱氨酸(L—cys)、谷胱甘肽(GSH)为包被试剂，制备出了3种粒径相同的水溶性CdS量子点，考察了这些CdS量子点在不同氧化剂体系下的化学发光行为

2、．结果表明，CdS量子点化学发光性能与氧化体系密切相关，而且包被试剂对CdS量子点化学发光性能影响很大．此研究为提高量子点的化学发光效率提出了一种新的途径，即通过优化其包被试剂来提高量子点的化学发光效率．关键词：包被试剂；CdS量子点；化学发光中图分类号：0675．3文献标志码：AInfiuenceofdifferentstabilizersonchemiluminescencepropertyofCdSquantumdotsZHANGZhi—ning，LIBao—xin(KeyLaboratoryofAnalyticalChemistryforLifeScienceofSha

3、anxiProvince，CollegeofChemistryandMaterialsScience，ShaanxiNormalUniversity，Xian710062，Shaanxi，China)Abstract：Water—solubleCdSquantumdots(QDs)cappedwiththreedifferentthioalkylacids(cysteamine，L—cysteineandglutathione)wererespectivelysynthesizedinaqueoussolution．Theeffectsofdifferentoxidantsys

4、temsonthechemiluminescenceintensityofCdSQDswerestudied．TheresultsindicatethatthecappingligandshaveaprofoundeffectontheefficiencyoftheQDsCLsystem．ThisworkgivesanewpathforfurtherimprovingtheefficiencyofQDsCLbyoptimizingcappingligandformodificationofQDs．Keywords：stabilizers；CdSquantumdots(QDs)；

5、chemiluminescence半导体纳米微晶体(即量子点，QDs)具有优良CdS量子点在不同氧化剂体系下的化学发光行为．的光学、电学性能，已引起了人们的研究兴趣．量子实验结果表明，包被试剂对CdS量子点化学发光性点的光致发光特性[1和电致发光特性[3已得到了能影响很大．因此，可以通过优化量子点的包被试剂广泛地研究，但有关量子点化学发光特性的研究相来提高量子点的化学发光效率．对较少]．水溶性CdS量子点易于制备，并可以通1实验过改变其组成、尺寸、形状和表面包被试剂来调节其发光特性_7]．我们研究发现，不同包被试剂的CdTe1．1仪器量子点具有不同的化学发光行为[8]，而有关包

6、被试IFFM—D型流动注射化学发光仪(西安瑞迈电剂对CdS量子点发光特性的影响还未见报道．本文子科技有限公司)，U一390OH紫外一可见分光光度分别以半胱胺盐酸盐(CA)、半胱氨酸(L-cys)、谷胱计(日本Hitachi公司)，F一46O0荧光分光光度计甘肽(GSH)为包被试剂，制备出3种粒径相同的水(日本Hitachi公司)，SartoriusPB一10／C(北京赛溶性CdS量子点．在优化的实验条件下，研究这些多利斯科学仪器有限公司)，集热式恒温加热磁力搅收稿日期：2011-02—26基金项目：教育部重点科技研究项目(109150)．第一作者：张治宁，女，硕士研究生，主要研

7、究方向为纳米材料发光分析．E-mail：zhangzhining123@126．corn．*通信作者：李保新，男，教授，博士研究生导师．E—mail：libaoxin@snnu．edu．an．第1期张治宁等：包被试剂对CdS量子点化学发光特性的影响43拌器(DF—lO1s，巩义市英峪予华仪器厂)．NaOH调节溶液pH为9．5；缓慢加入7．5mL0．011．2试剂mol／LTAA溶液，转入80℃油浴中，回流1h，得氯化镉(CdC1·2．5H2O，99．0)；硫代乙酰到最大发射波长为500nm的