电力电子技术习题.doc

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1、第2，9章电力电子器件一．填空1.若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为。（不考虑晶闸管的安全裕量）2.在型号KP10-3中，数字10表示，数字3表示。3．当温度降低时，晶闸管的触发电流会　、正反向漏电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会　、正反向漏电流会。4.GTR的安全工作区由_____________________、____________________、_____________________和____________________界定。5．GTR要想低损耗工作，应该工作在区和区。6.电力MO

2、SFET工作在_____区和_____区。7.下列器件中，为电流驱动型可控器件、为电压驱动型可控器件。A.晶闸管，B.IGBT，C.GTR，D.MOSFET。8.下列器件中，开关频率最高。A.晶闸管，B.IGBT，C.GTR，D.MOSFET。9.晶闸管并联必须考虑_________的问题，串联必须考虑________的问题。10.常用的过电流保护措施有________、__________、___________、____________（写出四种即可）一.填空题答案1.答：若晶闸管电流允许有效值是157A，则其额

3、定电流为100A。（不考虑晶闸管的安全裕量）2.在型号KP10-3中，数字10表示10A，数字3表示300V。3．当温度降低时，晶闸管的触发电流会　增大、正反向漏电流会减小；当温度升高时，晶闸管的触发电流会　减小、正反向漏电流会增大。4.GTR的安全工作区由最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM和二次击穿临界线界定。5．GTR要想低损耗工作，应该工作在截止区和饱和区。6.电力MOSFET工作在___截止___区和__非饱和___区。7.下列器件中，AC为电流驱动型可控器件、BD为电压驱动型可控器件

4、。A.晶闸管，B.IGBT，C.GTR，D.MOSFET。8.下列器件中，D开关频率最高。A.晶闸管，B.IGBT，C.GTR，D.MOSFET。9.晶闸管并联必须考虑_均流_的问题，串联必须考虑_均压_____的问题。10.常用的过电流保护措施有  快速熔断器、直流快速断路器、过电流继电器、电子保护电路（写出四种即可）二．简答1.晶闸管正常导通的条件是什么？导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么？如何实现？2.晶闸管的维持电流和擎住电流各是什么含义？两者的大小关系？3．某一晶闸管，额定电压为1

5、00V，额定电流为50A，维持电流为2mA，使用在下图1所示的各电路中是否合理？说明其理由。（不考虑电压、电流裕量）（a）（b）图14、晶闸管对触发脉冲的要求是？5.如图2所示为GTR的驱动电路，（1）其中二极管VD2、VD3和VD4组成什么电路？其作用是什么？（2）C2的在开通时作用是什么？在关断时作用又是什么？（3）该电路采用什么隔离方式？图26、指出下图3中①~⑤各保护元件的名称及作用。图37.图4所示的电路中：（1）Ri、VDi和Li的作用是什么？简述其工作原理。（2）Rs、VDs和Cs的作用又是什么？图4二

6、．简答答案1.给阳极提供高于转折电压的电压，门极加触发电压和电流便可导通。导通后电流由负载决定。阳极电流小于IH（维持电流）晶闸管就关断了。一般加负的阳极电压便可。2.答:维持电流：晶闸管维持导通状态所必需的最小电流。擎住电流：晶闸管由断态进入导通过程中，如果撤掉触发脉冲，能继续维持晶闸管导通的最小电流。维持电流小于擎住电流。3.答：（1）图（a）不合理；晶闸管如果导通，电路电流小于维持电流，晶闸管无法工作，矛盾。（2）图（b）不合理；加在晶闸管两端的峰值电压约为141.4V，大于晶闸管额定电压100V，晶闸管容易烧

7、坏。4.答：  1.触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通;2.触发脉冲应有足够的幅度；3.触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。4.应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。5答：（1）二极管VD2、VD3和VD4组成贝克箝位电路，是一种抗饱和电路，其作用是防止GTR进入深饱和区使GTR处在临界饱和状态，其中，串联VD3用来调整基极电流数值，改变饱和程度。反并联VD4是为反向抽走基区载流子提供通路，加快关断。（2）C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短

8、路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。关断时给GTR提供偏置负压。（3）光隔离。6答：1、压敏电阻保护；过电压保护2、阻容保护；过电压保护3、熔断器保护；过电流保护4、器件测阻容保护；过电压保护5、平衡电抗器；过电流保护7.①Li、VDi、Ri组成开通缓冲电路，其作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。②