电力电子技术习题

电力电子技术习题

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时间:2018-09-07

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1、1、晶闸管导通后移去门极电压,晶闸管是否还能继续导通?为什么?能。晶闸管可看作一个PNP型与NPN型三极管互联的复合管器件。一旦导通后,即使移去门极电压,复合管中仍保持远大于触发电路的基极电流,使晶闸管继续导通。2、温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正反向转折电压,各将如何变化?温度升高时,晶闸管的触发电流下降;正、反向漏电流上升;维持电流下降;正向转折电压和反向击穿电压都减小。3、为什么擎住电流比维持电流要大几倍?晶闸管刚导通时,在硅片结面上只有靠近门极附近的区域导通。触发脉冲结束后,要使导通区域继续扩大到整个结面所需要的电流,比维持电流要

2、大得多才行,所以擎住电流应大于维持电流好几倍。4、晶闸管的门极控制可用哪些信号?可用尖脉冲、短形脉冲、强触发脉冲。在多相可控整流要求宽脉冲。为了减少门极控制回路电源个数和与各元件阴极的绝缘,通常用高频脉冲列经脉冲变压器供给门极。5、GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何?吸收电路大体相同,如图,Ls、Cs、VDs1、Rs构成开通吸收电路,VDs、Cs组成关断吸收电路,主要限制重加电压上升率dUce/dt。4、晶闸管的导通条件是什么?导通后流过晶闸管的电流由什么决定?晶闸管关断的条件是什么?如何实现?晶闸管导通条件是:在晶闸管加上正向阳极电压的同时,加以适

3、量的正向门极电压。这就是晶闸管导通的充分与必要条件。导通后流过晶闸管的电流决定于电源电压、回路阻抗和接线形式。晶闸管的关断条件是阳极电流小于维持电流,并经过一段时间。(后面一句话,在高频工作条件下,由导通转为关断状态时,尤为重要。)实现关断的方法有:增加主回路的阻抗,减小电源电压,甚至使晶闸管承受反向电压等。5、用万用表如何区分晶闸管阳极(A)、阴极(K)、门极(G)?判断晶闸管好坏又有哪些简便的方法?可用万用表测量晶闸管三个极间的电阻。管子阳极、阴极间的正反向电阻接近无穷大。门极与阴极间电阻值约为几百欧姆,并且GK间的阻值,略小于KG间的阻值。判断晶闸管好坏的方

4、法有:(1)用万用表初步判断好坏,如上面所讲的各极间阻值情况。(2)用教科书中实验电路来进行判断。(3)用晶体管图示仪测量管子的伏安特性。6、什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?IGBT由于寄生晶闸管的影响,可能是集电极电流过大(静态擎住效应),也可能是duce/dt过大(动态擎住效应),会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流,或增加控制极上所接电阻RG的数值,减小关断时的duce/dt,以避免出现擎住现象。7、在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得工作不正常了的原因可能是什么?若冬天工作正常的晶闸管到了夏天却不正常了,又可能是什

5、么原因?夏天工作正常、冬天工作不正常的原因可能是电路提供的触发电流偏小,夏天勉强能触发,到冬天则就不能满足对触发电流的要求了。冬天正常、夏天不正常的原因可能是晶闸管的维持电流小,冬天勉强能关断,到夏天不容易关断;或者,因所选用的晶闸管电压偏低,到夏天管子转折电压与击穿电压值下降,而造成硬开通或击穿。8、三相全控桥的主回路由三相电源经进线电抗器直接连到晶闸管(可认为Y/Y-12),同步变压器为三角/星-1,三角/星-7连接组。触发器采用锯齿波同步移相触发电路,其中同步环节采用NPN晶体管,变流器要求能整流与逆变运行,试选择同步信号电压。此时是否要加RC滤波环节?如要,应移相

6、多少度?要加RC滤波环节,且移相30度9、GTR、IGBT等过流保护中,为何要采用检测集射极电压作为保护基准?检测集射极电压Uce作为过流保护原则,在相同的相对测量误差下,工作点的移动最少,结果较准确10、GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何?其减少被保护器件开关损耗的机理如何?缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构,串联的LS用于抑制di/dt的过量,并联的CS通过快速二极管VD充电,吸收器件上出现的过电压能量,由于电容电压不会跃变,限制了重加du/dt。当器件开通时CS上的能量经RS泄放。对于工作频率较高、容量较小的装置,为了减

7、少损耗,可将图(a)的RLCD电路简化为图(b)的形式。这种由RCD网络构成的缓冲电路普遍用于GTR、GTO、电力MOSFET及IGBT等电力电子器件的保护。11、不用过电压、过电流保护,选用较高电压等级与较大电流等级的晶闸管行不行?不可以。短路电流与操作过电压都是很大的,不能靠放大裕量来解决。大电流高电压的管子价格昂贵。一定要设保护环节。12、三相全控桥的主回路由三相电源经进线电抗器直接连到晶闸管(可认为Y/Y-12),同步变压器为三角/星-1,三角/星-7连接组。触发器采用正弦波同步移相触发电路,其中同步换届采用NPN晶体

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