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1、=用罗一效应叩姗13(李瑞琴)伟贸犯,,,,加[刊中」/曾民勇黄志高赖恒陈志.,,薄膜材料与器件高赖发春(福建师范大学物理系福建福州(35仪幻7))/.,光子学报2X(X)1一习42一947一29(0).成又翻12佣105李犯2计算了三方结构不同表面和不同磁化强度取向下的·一H=n、、。MovpEsini2)cMG及非线结郎薄膜掺杂研究的进展Porx(sHsH性克尔旋转角非线性旋转角deTger,eoono一es,ifMOVPEHJTiflm【刊中」/宋炳文果表明SHG和非线性旋转角值非常灵敏地依赖于薄膜的卿art解.,、;三方结构的S
2、HG非线性旋转角(昆明物理研究所云南昆明(650223))/红外技术一表面及磁化强度的取向,一。、。,2X(X)2(4)又38与cfbe和hcp结构的相比有很大的差异这表明结构一,一。介绍了近年在MovpEH薛deT薄膜的掺杂研究中对非线性磁光效应有重要的影响图6表1参15(李士范)。施主掺杂和受主掺杂的研究情况以及取得的最新进展。.EI和DM彻巧分别是广泛采用的施主和受主掺杂剂图4(妈别432以】1053狱犯RM川二aeot一参27(高晓萍)oC多层膜的磁光特性研究Mgn叩ictal一:x,,PorPertiesoftP;Mn/Col
3、tiesr/梁mu城[刊中〕冰青.(冲时12加105李犯3,,,陈熹王海唐云俊王荫君(中科院物理所磁学国家重点-M二anc生长和特性Gor讯hdch.啼镐汞薄膜的,coPE翻实验室和凝聚态物理中心北京(1X(X)8()))周勋(贵州师,,ses/.et,,isrictofMOCPEH解dTifiln〔刊中〕王静宇刘朝范大学物理系贵州贵阳(5《】X〕1))刘洪(首都师范大学.,,,.旺云南昆明(650223))/,,杨玉林宋炳文(昆明物理所物理系北京(1仪X)37))王松有陈良尧(复旦大学物理,,2X(X)2一49红外技术2(5).,-一
4、一系上海(2(X阵33))/物理学报2仪刃49(10)2059一一,报道了在水平常压MOCPE实验型生产装置中采用2肠5,,互扩散多层工艺(I)用金属有机化合物DMdC肠Pl’enMP采用磁控溅射法制备了一系列的M掺杂的RM可,,和元素Hg在c和G衬底上生长的H薛薄膜其。。,deTasAdeTC多层膜通过测量得到的磁光常数和光学常数计算,组分和薄膜厚度的均匀性以及P型电学性质初步达到了,,介电张量的对角元和非对角元得到在掺杂较大时克尔,,目前红外焦平面阵列研制的要求同时这种薄膜的生长;角的变化是由于介质电张量的非对角元引起的在掺杂量。具
5、有一定重复性图2表3参8(高晓萍),较小时克尔角的变化是由介电张量的对角元和非对角元。以及光学常数的变化引起的图8参23(李瑞琴).(冷叼412加105引翻=Dopnlent光学性能可变换薄膜的研制状况(3)veelof.《鸿时2侧)1仿李沁1幻,,ycthnifilns/辽宁大叩ictalliswablehit〔刊中」钟迪生N场C二真空退火对周期性界面掺杂卿薄膜磁性的影响.,,学物理系辽宁沈阳(nX()36)/红外技术一2X(X)2EetngeInaetiepeesfeofalionhtgnorPirtofNi加l22一,32iane
6、r()一24,,nue、C鲡hitifbnsiwhtimpirytlaysr[刊中」/童六牛何、评述了电致变色显示薄膜热致变色显示薄膜受压.,,贤美(华东冶金学院冶金工程系安徽马鞍山(抖3X()2))变色显示薄膜及光致变色显示薄膜在可见光和近红外波.。鹿牧(南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室段表现出的显著的变换效应及性质图12表4参30(高,,江苏南京(21以刃3))/物理学报一2X(刃49(11)一229()晓萍)一2295用磁控溅射方法制备了两个具有不同eF层厚度的T压132叨1053傲】5_x,二`cL/eFteFNt。恢
7、复和提高YIB勺Cu3场高温超导膜性能的一种方法【iN吻()()〕多层厚膜系列样品其中.-。neaervee二01和ZAvolWyoterandimPorhtPernl研究了两个系列样品的磁及输运性质随voe。,即C一xiN吻层厚度L的变化关系实验结果表明在多层膜foeofhisupecronetiIB处Cu3ghcTdu嗯YO7,p和;,,,,,结构中界面散射可导致如的增强磁性合金界面层htacmnriniflnsr[刊中」/曾群德李国祯张敏黄宗坦黄江口.。,,还可导致畴结构的改变及n门t和A五nt的增强图5参平李丹(昆明物理所云南昆
8、明(650223))/红外技一60一,2(XX)50一术一2(6)一53利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生,,长的凡/FM提出了一种方法即注氧法对于恢复超导薄膜中的鲡鞠双层膜的交换偏置场和矫顽力进
