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《硫脲在电镀和化学镀中的应用.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、2007年上海市电子电镀学术年会论文集8.可焊性试验高密度(HDI)线路板。经C.206化学置换镀锡,工作温度65℃,浸镀时间20min,厚度1.5urn。按J-STD-003A印刷板可焊性试验,焊料漂浮法:(助焊剂:标准活性松香助焊剂。焊料温度:235±5℃)8.1高温烘烤试验在155℃烘箱中烘烤4小时,外观无变化,可焊性良好。8.2恒温恒湿试验在温度40℃,相对湿度93%的条件下受潮试验4天,外观无变化,可焊性良好。9.结束语(1)C.206化学置换镀锡工艺,可以取代热风整平工艺(热浸Sn.Pb合金),
2、是符合欧盟ROHS要求的绿色工艺,厚度为1.5um的sn镀层可以经受高温155。C老化4小时(相当于常温下保存一年)或40℃,相对湿度93%4天的潮湿试验后仍具有良好的钎焊性。(2)C.206化学置换镀锡工艺,加工成本比目前普遍采用的化学镀镍/置换镀金低得多,而且镀液中不含剧毒的氰化物,不含Pb、cd等有害离子。操作温度比化学Ni/Au低20"C,具有节能无毒害,生产成本低的优点,在印刷线路板中的应用有广阔的前景。硫脲在电镀和化学镀中的应用高宁宁程瑾宁·李宁哈尔滨工业大学(威海)应用化学系山东威海26420
3、9E-mail:cjneagle@126.corn摘要:由于硫脲的分子结构和与贵金属的特殊亲合力,使其在电镀工业中得到了广泛的应用.硫脲作为络合剂可用于化学镀,退除不良镀层和电镀贵金属;同时作为稳定剂可用于化学镀镍、铜、镍磷合金和浸锡;而且还可作为特殊添加剂应用于电镀锌、铜、镍、镉、锌锰和铜金合金等;此外还论述了硫脲使用局限性以及目前的解决方法.关键字:硫脲电镀络合剂稳定荆广泛应用●ApplicationofthioureainelectroplatingandelectrolessplatingNing-
4、ningGao,Jin-ningChcng,NingLiDeparmaentofAppliedChemistry,Weihai,Shandong,264209Abstract:Thioureaisbeingwidelyusedinelectroplaingindustry,becauseofitsmolecularstructureandspecialaff'mitytonoblemetals.Asakindofcomplexingagent,thioureaisappliedtoelectrolesspl
5、ating,relTlovedefectivecladdingmatcfiMandelectroplatepreciousmetals.Thioureaisalsousedtoplateinertiametalssuchasnickel,copperandnickelphosphoralloybesidewickingasstabilizingagentAndthioureacarlstillbeusedasspecialadditionagenttoelectroplatezinc,copper,nick
6、el,cadmium,zincmanganesealloy,copperaururnalloyandSOon.Inaddition,thedisadvantagesofthioureaandthepresentsolutionalestatedinthisarticle.Keywords:thioureaelectroplaeomplexingagentadditionagentapplicationl引言硫脲(thiourea),别名硫代硫脲,结构式如图l所示,一般为无色斜方晶体,水中溶解度为14.29(
7、25"12),乙醇中为49(25℃)【l】。硫脲在空气中易潮解,熔点为180~182"C,在150℃时转变成硫氰酸铵(NI-hCNS),180℃时分解‘21。硫脲分子中由于硫原子和氮原子上存在孤对电子,因此可以与多种金属离子形成配合物,但络合常数一般较小。值得注意的是,由于硫脲中的硫原子对贵金属具有特殊亲和力,硫脲往往能够和贵金属形成稳定的络合物,从而广泛应用于电镀和化学镀贵金属。而且,硫脲是一个共面性很好的小分子【3】,所以非常容易牢固吸附在金属表面,从而改变金属表面电子结构。一117.一2007年i*十
8、t}自韫学$年e诗‘^N一抄圈J硫腮结构式2目内井研究现执2I硫臊作为络合剂酶腮分子中的硫酶了昌与Au,^舢zn、cu和Pb等金属离于形成稳定的络台物”】.萁中馥臊与Af鼯成的络台物离子为f^缸J{2NCSNH2)二1.,币砖定常数谜刘70x10”‘’I;与Au+形成的络台物离子#g[Au(H21qCSNI-1212】+.币稳定常数为42x10。’f6l=与cu。形成的络台翱离子Y口{Cu0J2NCSNI]2hr
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