数字集成电路习题答案.ppt

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1、习题答案简述CMOS工艺流程1.已知电路如图1所示,使用一阶二极管模型,即求解习题1电路图解:根据VGS和VDS确定其处于线性、饱和还是截止状态,并求的值。2.已知3.简述MOS管的电容分布,及其模型(a)(b)1.假设设计一个通用0.25mCMOS工艺的反相器,其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m,L=0.25m,即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m,L=0.25m,即W/L=0.375/0.25)求出g,VIL,VIH,NML,NMHV

2、T0(V)(V0.5)VDSAT(V)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.11.假设设计一个通用0.25mCMOS工艺的反相器,其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m,L=0.25m,即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m,L=0.25m,即W/L=0.375/0.25)求出g,VIL,VIH,NML,NMHVT0(V)(V0.5)VDSAT(V

3、)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.12.如下图所示,由NMOS组成的反相器,输出电容CL=3pF,W/L=1.5um/0.5um,求tpHL,tpLH和tp注:NMOS和PMOS的等效电阻可由表3.3查出1.写出下图的逻辑函数式2、写出下图的逻辑函数式,确定电路中晶体管的尺寸,使它的tpLH和tpHL与具有以下尺寸的反相器近似相等:NMOS为W/L=4,PMOS:W/L=8QQ′习题1:一上升沿触发的

4、D触发器,设初态为1,试在给定CP、D下,画出Q和Q′波形。

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