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时间:2017-12-07
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1、珠海,2008微电子技术的发展FrommicroelectronicstoFrommicroelectronicstonanoelectronics!陈军中山大学理工学院E-mail:stscjun@mail.sysu.edu.cnTel:020-8411438112◦是在半导体材料芯片上采用微加工工艺制造微型化电子元器件和微型化电路技术◦包括:ñ系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、测试以及封装、组装等专门技术◦目前主要产品:硅超大规模集成电路34}微机电系统和纳机电系统(MEMS&NEMS)◦(micro-electro-mechanicalsyst
2、emsandnano-electro-mechanicalsystems)}微光机电系统和纳光机电系统(MOEMS&NOEMS)◦(micro-optical-electro-mechanicalsystemsandTherearemore!nano-optical-electro-mechanicalsystems)}显示Computer◦大面积微电子技术}真空微电子Integratedcircuit(IC)}……Transistor5617891011}McCaffreyC,etal.Swallowable-CapsuleTechnology.Pervas
3、iveComputing,IEEE2008;7(1):23-29.1221314151617183时间特征集成度重要事件(每片元件数)1948-1958晶体管11947年12月,美国贝尔实验室,第一个晶体管;1948年,肖克莱提出晶体管理论。13高密度集成1958-1968SSI/MSI10-101958年,美国德克萨斯仪器公司,第一个半导体集成电路。351968-1978LSI10-101968年,256位动态随机存储器(DRAM)问世,集成度突破1000大关。571978-1988VLSI10-101978年,富士通,64kDRAM,集成度超过十五万元◦即
4、在尽可能小的空间,集成尽可能多的元件。78件和功能1988-1998ULSI10-101988年,M(兆)位DRAM,亚微米工艺(4MDRAM为0.8μm)。89◦小省快1998-2008GLSI10-101998年,吉位(Gegabits)DRAM,0.12μm。2008-2018WSI1920}The1956NobelPrizeofPhysicswasawardedjointly,onethirdeach,to:WilliamShockley,JhJohnBardeenandWalterHouserBrattainfortheirresearchesons
5、emiconductorsandtheirdiscoveryofthetransistorFirstTransistoreffect.BellLabs,1947www.lucent.com2122时间特征集成度重要事件(每片元件数)1948-1958晶体管11947年12月,美国贝尔实验室,第一个晶体管;1948年,肖克莱提出晶体管理论。131958-1968SSI/MSI10-101958年,美国德克萨斯仪器公司,第一个半导体集成电路。351968-1978LSI10-101968年,256位动态随机存储器(DRAM)问世,集成度突破1000大关。57197
6、8-1988VLSI10-101978年,富士通,64kDRAM,集成度超过十五万元件。781988-1998ULSI10-101988年,M(兆)位DRAM,亚微米工艺(4MDRAM为0.8μm)。1998-2008GLSI108-1091998年,吉位(Gegabits)DRAM,0.12μm。FirstIntegratedCircuitTexasInstruments,19582008-2018WSIwww.ti.com232442526}2000NobelPrizeofPhysicsisbeingawardedwithonehalfjointlyto:
7、RobertN.NoyceJACKST.CLAIRKILBYforhispartintheinventionoftheintegratedcircuit.BornDec121927-DiedJun31990andonehalfto:ZHORESIALFEROVZHORESI.ALFEROV,andHERBERTKROEMERfordevelopingsemiconductorheterostructuresusedinhigh-speed-andopto-electronicsKilby'swebpageatTexasInstrumentshttp://www
8、.ti.com/corp/docs/k
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