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1、欣興電子股份有限公司WORLDWISERELECTRONICSINCPCBPCB製造流程簡介製造流程簡介適用製程:蘆竹廠製作:內(外)層﹑壓合:黃俊榮鉆孔﹑電鍍﹑電測﹑QA:藍于隆加工﹑成型﹑終檢﹑製前:黃國瑞2004/3/13P1(1F)原物料倉:置放:P.P,乾膜,油墨.溫度:Max21℃.濕度:50％±10％內層目的:多層板內層線路影像轉移製作.前處理:將板面油脂異物氧化層去除,增加銅面粗糙度加強板面與乾膜之附著力.主要化學成份硫酸,雙氧水,安定劑.流程:酸洗⌫微蝕⌫烘乾.RunCard說明:基板尺寸36”
2、x48”,40”x48”,42”x48”,製前將以基板利用率,機台,設備及人員作業等考量,設計適當工作片尺寸(裁成工作片尺寸如現場所見尺寸大小),一個工作片將依客戶成品尺寸大小來決定成品數量.前處理特色:化學前處理,設備狀況數量:化學前處理3lines.壓膜:經壓膜機壓上乾膜.以熱壓滾輪將乾膜均勻貼附於銅箔表面上,壓膜溫度:110±10℃.乾膜種類:Morton801-Y30,801-Y40選擇性化金:杜邦W-250.2004/3/13P2曝光:利用曝光機對壓膜後基板進行影像轉移.用UV光照射,穿透工作底片透明區
3、域,使被UV光照射之乾膜產生聚合作用,且顏色加深,最後完成底片影像轉移至乾膜上.設備狀況數量:無塵室10000級.溫度20±2℃,濕度55±5%.水平曝光機ONOSOKKI2台垂直曝光機HAKUTO2台水平曝光機ADTEC-6101台點檢表:機器預防保養計劃表:作業人員對機器設備狀況按日做點檢工作及年度設備保養計劃按月實施保養.撕乾膜區:1.黃光室工作底片經由曝光手續底片影像轉移至乾膜上.2.對曝光後乾膜做自主檢查.3.撕膜機:進行顯影前必須將乾膜上保護膜mylar撕去.DESLine:進行顯影,蝕刻,去膜處理.
4、設備數量:DESline2lines.顯影:曝光後靜置15分鐘後,先撕去乾膜上之蓋膜,將未受UV光照射之乾膜,用碳酸鈉(1.0±2%)以溶解方式除去.蝕刻:利用鹽酸與雙氧水,將未受乾膜保護的銅面全部蝕去.去膜:用氫氧化鈉(強鹼性環境)以剝離方式去除剩餘乾膜層.2004/3/13P3AOI&VRS:利用自動光學檢測機(AOI)以光原理利用光反射量比對檢查內層線路缺口，凹陷,短路與銅渣,再將資料轉移至VRS檢修機以人員檢查來辨別假性缺點或實際缺點,並做適當處理.設備狀況數量:ORBOTECH自動光學檢測機(AOI)5
5、台ORBPTECH證實檢修機(VRS)8台最大製程能力:最小線寬3mil最小孔環3mil最小線距2.5mil最小板厚4mil(不含銅箔)2004/3/13P4壓合目的:將內層板,依疊板結構加上P.P和銅箔後,置入真空壓合機經熱壓冷壓後使之緊密結合,成為一多層板.黑化:在壓合過程增加內層銅面與PP樹脂接觸的表面積,增加附著力.流程:去脂→微蝕→活化→黑化(氧化槽)→還原→烘乾.組合:6Layers以上依疊板結構及經緯方向將內層板和P.P以鉚釘方式組合.疊板:組合後再用疊板機預疊.疊板區無塵室等級:A-line10萬
6、級(參觀路線),H-line1萬級壓合:壓合特色:以冷熱壓一次完成.設備狀況數量:壓合機7台用真空壓合機先熱壓再冷壓(壓力不變),將組合後板子一次壓合完成.壓合時間:3.25hr.熱壓高溫時間:185℃,95分鐘,冷壓低溫時間:55℃,25分鐘.2004/3/13P5抽真空730mmHg時間80min壓力:因實際板材面積及結構計算壓力kg/c㎡目前每組機台有5個opens,1個open可置入約13-18pages.後處理:拆鏡板與裁板:將壓合後基板自鏡板(鋼板)中取出,並裁切成工作片尺寸.銑靶與鉆靶:利用X-RA
7、Y打靶機將壓合後之多層板銑出鉆孔用之對位孔.成型與磨邊:將多餘邊料去除並清除板邊之毛屑.2004/3/13P6鉆孔目地:透過鉆孔程式將零件孔(PTH)及非零件孔(N-PTH)於板上鉆出首件檢驗:以X-RAY機台檢驗內層有無孔偏之情形機械鉆孔:採用HITACHI分4軸,5軸,6軸,蘆竹目前共有35台170軸,轉速8~12萬轉鉆針尺寸:0.2mm-6.5mm鉆針管制:以套環顏色分辨鉆頭尺寸並於鉆針尾部標註顏色鉆針使用率:新鉆頭鉆2500孔後研磨,每研磨一次可再鉆2000孔,研磨3次報廢製程能力:PTHTol.±3MI
8、L,N-PTHTol.±2MIL蓋墊板:蓋板為鋁板,為防止板面損傷,減少毛邊鉆針之定位及幫助散熱.墊板使用尿素板,為防止檯面損傷,減少毛邊.STACKHEIGHT:依鉆頭尺寸及板厚分2~5片一鉆分段鉆模式:孔徑0.3mm及以上6~8層板2段,10~12層板3段2004/3/13P7(三)雷射鉆孔:當孔徑小於0.2mm時執行之,蘆竹目前有4台使用SUMITOMOLAVIA1
