SJT 10455-1993 厚膜混合集成电路用铜导体浆料.pdf

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1、Si中华人民共和国电子行业标准SJ/T10455一93厚膜混合集成电路用铜导体浆料Copperconductorpasteforthickfilmhybridintegratedcircuits1993-12-17发布1994-06-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业标准厚膜混合集成电路用铜导体浆料S1/T10455-93Copperconductorpasteforthickfilmhybridintegratedcircuits主题内容与适用范围1.1主题内容本标准规定了厚膜混合集成电路用铜导体浆料(以下简称浆料)的技术要求、

2、试验方法、检验规则、包装、贮存及运输。1.2适用范围本标准适用于厚膜混合集成电路用铜导体浆料。2引用标准GB2421电工电子产品基本环境试验规程总则GB2423.28电工.扛子产品基本环境试验规程试验Ts锡焊试脸方法GB8976膜集成电路和混合膜集成电路总规范GIB548微电子器件试验方法和程序伎术要求桨料特性桨料特性应符合表1的规定。表1浆料特性序号项目特单位外观导体浆料呈均匀的青状，色泽一致粘度125一200P...2浆料成膜性能浆料成膜性能应符合表2的规定。中华人民共和国电子工业部1993-12-17批准1994-06-01实施SJ/T10455一

3、93表2浆料成膜性能序号项目性能要求单位初始值《4mO1fl阻高温贮存后《5m11}线宽2o严m2线分辩率间距200产m3烧结膜厚度15-18尸m4可焊性良好5抗焊料浸折性7次初始值》19.66附着力N高温贮存后>14.7超声铝初始值>50键合丝焊高温贮存后>407mN初始值.热声金>60强度丝焊高温贮存后>504试验方法4.1环境条件除另有规定外，所有试验均应在GB2421所规定的正常大气条件(温度15一351C，相对湿度45%一75%，气压86一106kPa)下进行。4.2样品制备考核铜导体浆料工作特性及导体性能的试验样品按厚膜工艺制备，推荐加工工艺

4、见附录A(参考件)，基片尺寸为30mmx20mm，试验图形见图la图1试验图形焊接区A，一A1。的尺寸为:2mmX2mmo试验焊接区Z:一几的尺寸为:1mtnxlmm,导带L，的最大宽度为:0.SOmmoSJ/T10455-93导带玩的最大宽度为:0.20mm.导带L3的最大宽度为:0.20mm.导带L,与12之间的最小间距为:0.30mm.导带场与肠之间的最小间距为:0.20mm.4.3侧量仪器a‘粘度计;b.毫欧表;c.测量显微镜;d.膜厚测试仪;e.拉力机;r.克力计。4.4外观浆料外观用目视检查，应符合表1的规定。4.5枯度用绝对工作旋转粘度计进

5、行测量，恒温水槽温度为25士1C,剪切速度为lOr/min.4.6方电阻导电带印制线推荐为L/b二100/1(L一导带长度，b一导带宽度)。在样品导电带b，两端用毫欧表测量电阻值，按下式计算方电阻:R,=R/100式中:R,一导电膜的方电阻，m川口;R-L,两端电阻测量值，mil.4.7线分辩率用毫欧表测量12或12二端应导通。用测量显微镜测量12或L3的线宽，12与L3之间的距离，并观察12与L，间不得连接，或用毫欧表进行测量，玩和L3之间不得导通。4.8烧结膜厚度用膜厚测试仪或其他精度相当的仪器测量导体膜厚度，测量误差<1.5%.4.9可焊性可焊性试

6、验在A:一A,。上进行。按照GB8976第4.5.10.1条方法，将试验基片试验区域的一边浸入焊槽，浸入时间5士0.5s，浸润面积80%以上为良好。当浸入焊槽时，允许试验基片做缓慢的水平或垂直运动。4.10抗焊料浸折性抗焊料浸折性试验按本规范4.9条进行并做以下变更:a.浸人时间为101Is;b.进行以上操作，每次冷却到15一35r-，再重复进行，如有一个焊区其50%的面积被浸析掉，为失效。4.11附着力附着力按剥离试验来确定，在A,-A,a7*区上进行。试验引线采用0.8mm的镀锡引线，按图2的方法弯曲。S.1/T10455-9300.8长焊接区，I}

7、#i图2剥离试验按GB2423.20第屯6条预处理基片，将基片预热到30士5r-。试验引线用焊剂侵润后，焊到焊区(如图2),焊接时间5土is，试验引线应弯成角度90士10，垂直于基片平面。在室温(15-35r-)下贮存16h后进行测量，用拉力机以每分钟10--20mm的恒定速度从垂直基片方向往上拉。按下述损坏模式进行区别:a.导电带及焊料拉离;b.试验引线从焊料上被拉下;c.瓷基片被拉碎裂。如属b,c.则允许重焊或调换样品后重做该项试验。4.12键合强度按GJB548方法2011试验条件D进行试验，引线键合在Zl一Z6上的任意二点上。引线直径为:25pm

8、o4.13高温贮存将样品放入15012℃的烘箱中存放%ho高温贮存的样品取出后恢