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1、Si中华人民共和国电子行业标准SJ/T10454一93厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料Dielectricpasteformultilayerlayoutofthickfilmhybridintegratedcircuits1993-12-17发布1994-06-01实施中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料SJ/T10454-93Dielectricpasteformultilayerlayoutofthickfilmhybridintegratedcircuits主题内容与适用范围1.1主题内容本标准规定了厚膜混合集成电
2、路多层布线用介质浆料(以下简称浆料)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存及运输。1.2适用范围本标准适用于与金、把银导体浆料相匹配的厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料。引用标准GB2421电工电子产品基本环境试验规程总则GB2423.2电工电子产品基本环境试验规程试验B:高温试验方法GB2423.3电工电子产品基本环境试验规程试验C,:恒定湿热试验方法GB2423.22电子电子产品基本环境试验规程试验N:温度变化试验方法3技术要求3.1浆料特性浆料特性应符合表1的规定。表1浆料特性序号项目{特性单位外观}介质浆料呈均匀的青状、色泽一致粘度}150-250Pa"43.2浆
3、料成膜性能浆料成膜性能应符合表2的规定。中华人民共和国电子工业部1993-12-17批准1994-06-01实施SJ/T10454-93表2浆料成膜性能序号项目符号性能要求单位介质膜表面平整致密、无明1外观显针孔或裂纹2通孔分辨率250解m3介电常数主簇104介质损耗角正切值tga(0.2%5初始绝缘电阻Rs李loun6环境试验后绝缘电阻RS>10'n7击穿电压Vt)1000V8烧结膜厚度40-50产m9(25(5层)产m翘曲(50(10层)tLm4试验方法4.1环境条件除另有规定外,所有试验均应在GB2421所规定的正常大气条件下(温度15-3510,相对湿度45%一75%
4、,气压86一106kPa)进行。4.2样品制备考核介质浆料工作特性及介质性能的试验样品应按常规的厚膜多层布线工艺制备,试验图形见图1、图2.上层导体96%暇化铝基片介质下层导体图1介质性能试验图形上、下层导体为把银导体或金导体。基片尺寸50.mx25mm图形尺寸:6mmx6mm通孔介质层图2通孔分辨率试验图形基片尺寸;30mmx20.mSJ/T10454-934.3检测仪器a.粘度计;b.电容测量仪;c.电容介质损耗测量仪;d.介质击穿装置;e.高阻表;f.膜厚测试仪;9.测量显微镜;h.千分表。4.4外观浆料外观用目视检验,应符合表1的规定。4.5粘度用绝对工作旋转粘度计进
5、行测量,恒温水槽温度2511IC,剪切速度l0r/min,4.6通孔分辨率在%%氧化铝基板上印烧介质层(掩膜通孔250pmx250pm),测量通孔的通断。试验图形见图204.7介电常数(。)可用保证电压不大于5V和测量误差不大于2%的任何方法及仪器进行。测量频率为1士0.2MHzo测量结果按下式计算。Cd£=0.0884S式中:C—试样的电容量,PF;d—试样的厚度,cm;S—试样导体重叠面积,cm;试验图形见图to4.8介质损耗角正切值可用测量误差不大于0.1tg8+0.0002的方法进行。测量频率为1士0.2MHzo试验图形见图1e4.9绝缘电阻在上层导体及下层导体引出端
6、用高阻表测量,测量电压为DC100+15Va试验图形见图la4.10击穿电压用介质击穿装置以100V/3-4s的速度缓慢施加电压至1000V,测量误差(士5%0试验图形见图I.4.11烧结膜厚度用膜厚测试仪或其他精度相等的仪器测量介质层的厚度,测量误差(士5%e4.12翘曲最大翘曲的侧量,选用平整的氧化铝基板印、烧介质膜,用印、烧介质膜的基片与一个基准平面接触,至少要测量三个点,其三个点分别分布在基片三个拐角处,用量规或千分表测量,测一3一S.1/T10454-93得的读数应减去基片和介质膜的厚度。至少要以上述三处测得的数据为依据,正确找出最大直线尺寸。推荐式样:基片尺寸50
7、mmx25mmx0.6mm;介质膜覆盖面积:50mmx25mm.4.13温度循环.按GB2423.22试验Na进行,其中:Tp一55U;Tg125℃;t}30min;循环次数:10次。4.14恒定湿热按1B2423.3进行,试验严酷度96h.5.15高温贮存按GB2423.2试验Bb进行,温度1550,持续时间21d.检验规则5.1检验批每配制一次浆料为一个检验批,从检验批中随机抽取适量浆料并制备受检样品,样品制备见4.2条。5.2逐批检验按表3和表4中的B组规定进行逐批检验,B组检验应在A组检验合格后
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