经皮穿刺射频热凝靶点治疗颈椎间盘突出症.ppt

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1、经皮穿刺射频靶点热凝治疗颈椎间盘突出症临床效果评价摘要目的：观察经皮穿刺射频靶点热凝治疗颈椎间盘突出症的临床疗效。方法：选择颈椎间盘突出症患者1116例，在C臂引导下经颈前气管鞘和血管鞘之间穿刺到椎间盘突出的靶点，用射频仪对靶点热凝治疗。结果：术后选择不同时期（1周、3个月、6个月）进行疼痛VAS评分，与术前相比显著改善，优良率达76.91%。结论：C臂下经皮穿刺射频靶点热凝术是治疗颈椎间盘突出症的有效方法之一。关键词射频；靶点；热凝；颈椎间盘突出症。1.一般资料2007年1月1日至2014年12月31日，我院对1116例颈椎间盘射

2、频热凝治疗患者获得有效随访。其中，男性627例，女性489例；年龄24-68岁；平均54.3岁。病程3个月-15年；颈3/4椎间盘96例、颈4/5椎间盘突出327例、颈5/6椎间盘突出症514例、颈6/7椎间盘突出症179例；两个椎间盘同时突出者81例；共施行射频靶点热凝术1197个椎间盘。资料与方法2.方法（1）入选标准：临床表现为颈疼痛、上肢疼痛和/或麻木；保守治疗8周无效，CT和MRI检查有颈椎间盘突出又无开放手术指征者。剔除标准：严重颈椎骨质增生，颈椎管骨性狭窄，颈椎间盘钙化，凝血功能异常，颈动脉斑块或颈动脉窦敏感等。资料与方

3、法2.方法（2）术前准备：术前必须摄颈椎正、侧位X线片、颈椎CT和MRI，以及常规的术前准备。资料与方法2.方法（3）手术方法：取仰卧位，在C臂引导下，采用前路20G射频针经颈前血管鞘和气管鞘之间穿刺入目标椎间盘，正位显示穿刺针位于椎间盘突出侧；侧位针尖不超过椎体后缘，与术前设计的靶点位置相同。穿刺到位后，测阻抗一般在150-200之间，分别给予高频（50HZ）电流（0.8-1.0mA）感觉刺激和低频（2HZ）电流（0.8-2.0mA）运动刺激未引出支配区疼痛和运动后，依次从70°、80°、90°进行治疗，每次100秒。资料与方法Ω2

4、.方法（4）术后处理：术后使用抗菌素1天，术后卧床24小时，24小时后带颈托下地，术后3天配合理疗。资料与方法3.疗效评估（1）疼痛：按照VAS评分法评定治疗前后各时期的疼痛变化程度。（2）镇痛效果评级标准：优：症状完全消失，体征消失，活动恢复正常，生活、工作恢复正常；良：症状明显缓解、偶尔短暂加重，体征大部分消失或减轻，活动基本恢复正常，恢复原工作学习、有时仍不适；差：症状减轻后几天又复原疼痛、需常用止痛药，体征大部分如前，活动与治疗前基本一样或只恢复到正常的1/2，生活、工作难以胜任原工作、自理受限；无效：疼痛如前或加重，体征无变

5、化或加重，活动无变化或加重，生活不能自理。（3）优和良之和为优良率；差和无效之和为失败率。资料与方法4.统计学记录数据采用t检验，率比较采用卡方检验，p＜0.05表示差异有显著性。资料与方法对本组1116例病人治疗后随访1周-6个月。术后不同时期疼痛评估治疗前VAS评分6.52，治疗后1周、3个月、6个月的VAS评分分别为：3.24、2.23、1.96。结果附表：治疗后各时期临床效果结果术后时间优（%）良（%）优良（%）差（%）无效（%）失败率（%）1周21.7151.2572.9618.049.0027.043个月23.5153.0

6、676.5617.196.2523.446个月24.3052.6176.9117.295.8023.09颈椎间盘突出症是在颈椎间盘退变的基础上，因轻微外力或无明确诱因导致椎间盘突出而致脊髓和神经根受压产生相应症状。在其引起症状方面，除了神经根的直接压迫，髓核作为免疫源性物质在神经根周围产生免疫化学反应占据更为重要的位置，另外，研究显示，椎间盘内、后纵韧带和硬膜囊的窦椎神经受到刺激也是产生诸多症状的因素之一。讨论射频治疗是椎间盘微创治疗手段之一，其原理如下：a.局部热疗使产生裂隙的纤维环组织中的胶原纤维收缩发生再塑形使撕裂处愈合；b.加

7、热灭活椎间盘内炎症因子及降解酶，从而消除化学性致痛因素；c.热能使分布在纤维环外层的痛觉神经末梢灭活而失去接收和传递疼痛信号的能力；d.深部热疗作用，改善椎管内的微循环。讨论射频热凝治疗颈椎间盘突出症成功的关键，在于穿刺的准确性以及治疗过程的安全性，在操作过程中必须注意以下几点：讨论（1）必须熟悉颈部的各种解剖结构，包括气管和食道，甲状腺，颈动脉和椎动脉，神经根、脊髓和椎间盘等关系，避免穿刺造成血管、食道和气管、脊髓和椎间盘的损伤。讨论（2）在选择靶点上必须准确。脑中要有脊柱的立体感，仔细阅读CT、MRI片，构想出突出的髓核在椎管内，

8、与受压脊髓、硬膜囊以及神经根的立体关系，进而才能找出治疗疾病的最佳靶点。讨论（3）在穿刺过程中，不能超过椎体后缘，应在椎间隙前缘调整好穿刺角度，在正位和侧位上准确定好穿刺角度后，有把握地穿刺到靶点位置。讨论（4）在射频热