小型等离子清洗／刻蚀机应用

《小型等离子清洗／刻蚀机应用》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、维普资讯http://www.cqvip.comj电子工业毫用设苗·专题报道·Jlx型等离子清洗蚀机的应用郑亮，唐明(北京嘉润通力科技有限公司北京100088)摘要：综述了等离子体产生的原理，小型等离子清洗／刻蚀机的特点，在各加工行业的应用，特别是在科研机构发挥了举足轻重的作用，包括等离子清洗、刻蚀、等离子镀、等离子涂覆、等离子灰化和表面改性等。论述了小型等离子清洗／刻蚀机在TEM、SEM、电镜等方面的特殊应用。并讨论了等离子处理对于产品的可靠性和过程效率的提高是目前最理想的技术及其优势。关键词：等离子清洗：刻蚀：表面处理中图分类号：

2、TN305．97，TN305．7文献标识码：A文章编号：l004-4507(2004)一09-0033—06ApplicationofSmallPlasmaCleaning／EtchingInstrumentsZHENGLiang，TANGMing(BeijingJRPowerTechCo．，Ltd，Beijing100088，China)Abstract：Theprincipleofplasma，characteristicsandapplicationsofsmallsizedplasmainstrumentsareintrodu

3、ced，especiallyitscrucialfunctionsinscientificresearches：Cleaning，etching，coating，ashingandsurfacemodification．SpecialusesonTEMandSEMareexpatiated．Theuniquefunctionandadvantagesthatcannotbereplacedinmodernresearchworkarediscussed．Keywords：Plasmacleaning；Plasmaetching；Sur

4、facemodification1等离子原理实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场典型的等离子的组成是电子、离子、自由基和质作用，它们发生碰撞而形成等离子体，这时会发出辉子，从电磁辐射的应用以低压产生到气体容积中。就光，故称为辉光放电处理(见图1)。辉光放电时的好象把固体转变成气体需要能量一样，产生离子体气压大小对材料处理效果有很大影响，另外与放电也需要能量。一定量的离子体是由带电粒子和中性功率，气体成分及流动速度、材料类型等因素有关。粒子(包括原子离子和自由粒子)混合组成。离子体这

5、种等离子体的显著的特征：能够导电，和电磁力起反应。(1)气体产生辉光现象，常称为“辉光放电”。小型等离子清洗垓0蚀机产生等离子体的装置由于是真空紫外光，其对蚀刻率有十分积极的影响；是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵(2)气体中包含中性粒子、离子和电子(见图2)。收稿日期：2004—08—06作者简介：郑亮(1968-)，男，高级工程师，1991年毕业于清华大学机电工程系，长期从事先进加工技术的开发和研究。(总第116期)⑧维普资讯http://www.cqvip.com电孑工业·专题报道·EqⅡipMtforElectron

6、ic}liJr}Ifl-*~取I离温腰介r102～103K，电了能IU悱l引制地将离子啦之引到电栈。f}1J离了撞击蕈对随的温度商达105K．们做你为“1l：衡等离接台焊黜}l勺挺向．撞击力足以上l埭表_Ⅱ1的仟¨污r伴”或“冷等离r傩”fu是它们士¨表现出电中垢．然厉这污水通过真泵排H}，(lI{，rj)』：I_艺容审压是气流迎度、1”气半干¨泉速I’函数，L艺气体的选择决定等高了晴洗机制(物化≯或物娅／化学向最终气流述[12三，Jj』}。功率：等檀了功率通过增加等离r内的高商使扎岛能鞋米增加清沽速度离了崭度是位体移l的活日：反心纠

7、分的数量增jJ【l离_r惭度将增加清图I捱光艘电虹理沾速度，为晒性反应组丹的浓度j对虹大离了能肇定义活f{：反应组，址"物Ln：的能力．叫问：‘股来醴，目标是耍使ll时间最短以达剖最大的j装生产线最。上艺时问麻与功半、，门1I气体类衡对PRf；^炎罐板的作为引线键台强度函数的1艺n三』功率进行忧化，许[艺时问，结叫JJ．艺时问的碓要件例如，个镛的等离J『艺刚问得到十11刈r来处展扳证ljl线键合强度2的提高，在1岂l1J’}外增加～VIt，紫外把一掐光-j28％．1Jl线键合强度比未处理fl勺基板增』J¨20％，较田2气悼中的巾杠子、

8、离子和电干的』：艺运行¨，1问小总足呵以提供键台改善结粜(3)L体所产1·的【l】干n离了i-H-恨高，其。戈酗、卜t在栏个处理过程中，锋离广清冼系统的能足以破坏儿所何m化学键，f何暴露的丧关键控制要素包括过程温度、射颧