模拟电子技术习题解答3.ppt

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1、习题解答三第三章多级放大电路第二章基本放大电路第一章常用半导体器件第三章多级放大电路三、选择合适答案填入空内。（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的。A.差模放大倍数

2、数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强（1）C，D（2）C（3）A（4）A，C（5）B（6）C3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb′=100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。图P3.6解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：Ad和Ri分析如下：第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称

3、其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×2.9解：(1)∴(2)由可得：。2.10解：由于所以空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故RL=3KΩ时，当输入信号增大到一定幅值

4、，电路首先出现截止失真。故2.11电路如图P2.11所示，晶体管β=100，rbb’=100Ω。(1)求电路的Q点、Au、Ri和Ro；(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析：动态分析：(2)β=200时，（不变）（不变）（减小）(3)Ce开路时，（减小）（增大）（不变）（不变）2.12电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，rbe=1kΩ。(1)求出Q点；(2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的Au、Ri和Ro解：(1)求解Q点：(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：RL=∞时：图P

5、2.12RL=3kΩ时：输出电阻：2.13电路如图P2.13所示，晶体管的β=60,rbb’=100Ω(1)求解Q点、Au、Ri和Ro(2)设Us=10mV（有效值），问Ui=？Uo=？若C3开路，则Ui=？Uo=？解：(1)Q点：图P2.13Au、Ri和Ro的分析(2)设Us=10mV（有效值），则若C3开路，则：第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（

6、）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。A.ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、

7、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。图Pl.8(a)(b)(a)(b)解图Pl.81.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别