硅太阳能电池工艺.ppt

《硅太阳能电池工艺.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、太阳能电池工艺流程制绒清洗扩散刻蚀去PSGPECVD丝网印刷烧结测试分档分选包装1制绒和清洗概述形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的：3硅片表面的机械损伤层硅片机械损伤层4制绒：表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率5绒面腐蚀原理利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。反应式为：Si+2KOH+H2O→K2SiO3

2、+2H2↑6绒面光学原理制备绒面的目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。7绒面光学原理陷光原理图示：8影响绒面质量的关键因素KOH浓度异丙醇浓度制绒槽内硅酸钾的累计量制绒腐蚀的温度制绒腐蚀时间的长短槽体密封程度、异丙醇的挥发程度9化学清洗原理HF去除硅片表面氧化层：HCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子

3、形成可溶于水的络合物。10注意事项安全KOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟，送医院就医。11扩散太阳电池制造的核心工序扩散的目的：形成PN结PN结——太阳电池的心脏13１．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散３．丝网印刷磷浆料后链式扩散本公司目前采用的是第一种方法。太阳电池磷扩散方法14清洗饱和装片送片扩散关源，退舟方块电阻

4、测量卸片磷扩散工艺过程15扩散装置示意图16POCl3磷扩散原理POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：17在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。POCl3磷扩散原理18由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与

5、其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。POCl3磷扩散原理19影响扩散的因素管内气体中杂质源的浓度扩散温度扩散时间20在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一

6、。方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。扩散层薄层电阻及其测量21方块电阻的定义考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为当l=a（即为一个方块）时，R=ρ/t。可见，（ρ/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□=ρ/t(Ω/□)22等离子体刻蚀等离子体刻蚀模型PSGn+SiBeforeedgeisolationAfteredgeisolation24等离子体刻蚀原理等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性

7、粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。（这是各向同性反应）这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。25首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。等离子体刻蚀反应26等离子体刻蚀反应27边缘刻蚀控制短路形成途径由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘

8、）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。控制方法对于不同规格硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。28去PSG去磷硅玻璃模型PSGBe