硅太阳能电池工艺流程

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1、硅太阳电池制备工艺制备工艺流程硅片清洗与去损去除表面损失和沾污硅片制绒形成表面陷光结构碱制绒与酸制绒硅片清洗与制绒绒面减少反射的机理碱制绒各向异性腐蚀高质量的碱制绒均匀的金字塔高覆盖率-100%最佳金字塔(111)晶面间形成尖锐交角平均反射率在9%左右酸制绒是各向同性腐蚀使用HNO3和HF的混合液单晶和多晶硅都适用需要表面有缺陷和损伤可以与H2O,H3PO4,H2SO4等混合使用As-cutAlkaliAcidic酸制绒一般使用CF4等离子体轰击表面优点低温，环境影响小易单面制绒硅片应力小缺点成本当λ<50

2、0nm时，QE降低RIE(反应离子刻蚀)制绒扩散方法沉积磷源在硅片表面高温加热磷扩散到硅基体中扩散过程需要折衷考虑的因素蓝光响应（死层）串联电阻金属接触电阻温度——杂质和应力等吸杂磷扩散边缘刻蚀去除边缘PN结，防止上下短路磷硅玻璃磷硅玻璃P型硅N型硅N型硅边缘刻蚀P型硅N型硅N型硅去磷硅玻璃去磷硅玻璃用HF酸把上下表面的磷硅玻璃去除串联电阻有时与刻蚀边结同时进行减反射膜减反射SiNxSiNx/SiOxAl2O3表面等离子体沉积深蓝色减反膜SiNx:H膜。折射率玻璃~1.5硅~3.4介质~2.2钝化作用最常用少

3、子寿命较低的情况下，寿命提高对电池效率的影响比较明显少子寿命较高时，表面复合对效率影响更加重要为什么要钝化随着电池片的减薄，绝大多数硅片体寿命已经大于硅片厚度，提高少子寿命对电池性能的提高已经比较有限；同时，随着硅片厚度减薄，表面复合所占比重越来越大，表面钝化显得更加重要。低温快速热处理后，Si-SiNx界面态密度减少热处理前后Si-SiNx界面态密度随表面势的变化减反射膜的钝化作用PPECVD生长SiNx可钝化表面，低温快速热处理可进一步提高钝化效果350-500℃，Si-H和N-H峰强均有下降600-

4、800℃，峰强进一步降低H释放，钝化Si-SiNx界面的悬挂键H从界面处逸出快速热处理提高SiNx薄膜钝化的机理热处理前后SiNx的傅里叶红外谱背电极背电极的印刷在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极浆料：银浆或银铝浆在太阳电池背面丝网印刷铝浆通过烧结和p型硅形成良好的接触形成铝背场高低结电场吸杂背电场背电场的印刷在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极正面电极有主栅线和副栅线组成主栅线副栅线前电极的印刷TheEnd