模拟电路期末总复习(康华光版).ppt

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1、《模拟电子技术》期末总复习授课人：庄友谊模拟电子技术1题型：一、填空题（12、14分）二、选择题（16分）三、分析题（18、16分）（3、2题）四、计算题（44分）（5题）五、设计题（10分）（1题）期中前约50%期中后约50%21绪论一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号二、放大电路性能指标：1、电压放大倍数Au电压增益=20lg

2、Au

3、(dB)2、输入电阻ri3、输出电阻ro4、通频带5、失真：失真线性失真非线性失真：幅度失真:相位失真:3半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性一、半导体与本征半

4、导体：半导体的共价键结构：惯性核价电子3二极管及其电路+4+4+4+4+4+4+4+4+44本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。载流子自由电子空穴本征激发复合本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。动态平衡5二、杂质半导体P型半导体（空穴导电型半导体）：掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。N型半导体（电子导电型半导体）：掺5价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。施主原子（离子）多数载流子（多子）：自由电子，少数载流子（少子）：空穴。受主原子（离子）多子：

5、空穴，少子：自由电子。61、PN结的形成过程：三、PN结与半导体二极管扩散接触形成空间电荷区内电场漂移动态平衡PN结空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、PN结2、PN结的最主要的特性——单向导电性：PN结加正向电压导通，PN结加反向电压截止73、PN结的伏安特性：导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3VVBRVDIDIR=-IS死区电压硅管0.6V,锗管0.2V反向特性正向特性击穿特性反向击穿(电击穿)雪崩击穿和齐纳击穿正向特性反向特性击穿特性稳压二极管利用击穿特性4、PN结的电容效应：势垒电容

6、CB（PN结反偏）和扩散电容CD（PN结正偏）8PN二极管的电路符号：5、半导体二极管：主要参数:最大整流电流IFM、反向峰值电压URM、反向直流电流IR等分为：点接触型、面接触型、平面型。特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管、激光二极管等特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应9四、二极管的基本电路及其分析方法1、图解分析法：RDVDDiD+vD-iDvDIDVDQVDDVDD/R2、简化模型分析法：简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型应用简化模型分析

7、：10（一）BJT的结构与工作原理:becNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BcePNP型bcebce发射结集电结一、BJT的结构、原理与特性4双极型三极管及放大电路基础两种类型：NPN型和PNP型。11内部结构：发射区：掺杂浓度较高基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是：a.发射结加正向电压(正向偏置):NPN管：Vbe>0；PNP管：Vbe<0b.集电结加反向电压(反向偏置):NPN管：Vbc<0；PNP管：Vbc<02、载流子在

8、基区的扩散与复合3、集电区收集载流子工作过程:1、发射区向基区扩散其多数载流子三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。12IE=IEN+IEP且有IEN>>IEPIEN=ICN+IBN且有IEN>>IBN，ICN>>IBNIC=ICN+ICBOIB=IEP+IBN－ICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)IE=IC+IB电流关系式:13（二）BJT的V-I特性曲线1、输入特性：UCE1VIB(A)UBE(V)2040608

9、00.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。142、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0，IC=ICEO，UBE<死区电压，称为截止区。15输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：I

10、C=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：VCEUBE，IB>IC，硅管：VCE0.3V锗管：VCE0.1V(3)截止区：VBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO016（三）BJT的主要参数1.电流放大系数：α、β2、极间反向电流：（1）集-基极反向饱和电流ICBO（2）集-射极反向饱和电流ICEO3、极限参数：（1）集电极最大电流ICM（2）反向击穿电压：射-基反向极击