模拟电路期末总复习

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1、模拟电路期末总复习2013年12月一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子—自由电子空穴—价电子两种半导体N型(多电子)P型(多空穴)二、二极管1.特性—单向导电性正向电阻小（理想为0）反向电阻大（）iDuDU(BR)IFURM2.主要参数正向—最大平均电流IF反向—最大反向工作电压U(BR)(超过则击穿)反向饱和电流IR(IS)(受温度影响)第一章半导体器件基本概念的理解三、硅稳压管在反向击穿区，流过稳压管的电流发生很大变化，两端电压基本不变。1、稳定电压UZ：稳压管的击穿电压2、稳定电流IZ：使稳压管工作在稳压状态的最小电流3、最大耗散功率PZM：允

2、许的最大功率，PZM=IZMUZ4、动态电阻rz：工作在稳压状态时，rz＝ΔU/ΔI伏安特性符号1.形式与结构NPNPNP三区三极两结2.特点基极电流控制集电极电流并实现放大放大条件内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大外因：发射结正偏、集电结反偏3.电流关系IE=IC+IBIC=IB+ICEOIE=(1+)IB+ICEOIE=IC+IBIC=IBIE=(1+)IB四、双极型半导体三极管（晶体三极管BJT）4.特性iC/mAuCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O369124321死区电压Uth：0.5V(硅管)0.1V(锗

3、管)工作电压UBE(on)：0.60.8V取0.7V(硅管)0.20.3V取0.3V(锗管)放大区饱和区截止区放大区特点：1）iB决定iC2）曲线水平表示恒流3）曲线间隔表示受控5.参数特性参数电流放大倍数=/（1）=/（1+)极间反向电流ICBOICEO极限参数ICMPCMU（BR）CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安全工作区=(1+)ICBO第二章放大电路的基本原理共射极、共集电极，共基极三种组态的判定、性能比较；直流通路、交流通路的作用及画法；中频微变等效电路的画法、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、频率响应、波

4、特图、频带宽度、增益带宽积晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态状态电流关系条件放大IC=IB发射结正偏集电结反偏饱和ICIB两个结正偏ICS=IBS临界截止IB<0,IC=0两个结反偏判断导通还是截止：UBE>U(th)则导通以NPN为例：UBEUB>UE放大UEUCUB饱和两个基本问题静态(Q)—动态(Au)—解决不失真的问题“Q”偏高引起饱和失真“Q”偏低引起截止失真解决能放大的问题两种分析方法1.计算法1)直流通路求“Q”(从发射结

5、导通电压UBE（on）出发)2)交流通路分析性能交流通路画法：VCC接地，耦合电容短路小信号电路模型2.图解法观察失真计算Uomax直流负载线：uCE=VCC–iCRCuCE/ViC/mAVccQUCEQ直流负载线–1/RC交流负载线：过Q点,斜率为–1/R’L交流负载线–1/R’LUom1Uom2Uomax=min{Uom1,Uom2}三种基本组态判定：交流输入和输出的公共极,为共极电路共射电路：基极输入，集电极输出;电压、电流都放大共集电路：基极输入，发射极输出;电流放大，电压不放大共基电路：发射极输入，集电极输出；电压放大，电流不放大共集电路：Au1

6、，Ri高，Ro低；输入、输出级、隔离级两种典型电路结构偏置式+us+VCCRCC1C2RL++RBRS+uo–分压式+us+VCCRCC1C2RLRE++RB1RB2RS+uo+–RBRC+uCE–+uBE+–VCCVBBiBiC求静态工作点；求性能指标；图中IEQ=1mA，=99,r’bb=300,试计算以下电路的输入电阻和电压放大倍数。RC+VCC+ui+uo–RiRC+VCC+ui+uo–Ri100RC+VCC+ui+uo–Ri100RC+VCC+ui+uo–Ri100（1）电压放大倍数（2）输入电阻（3）输出电阻考虑级与级之

7、间的相互影响，计算各级电压放大倍数时，应把后级的输入电阻作为前级的负载处理!!!第3章多级放大电路长尾式差分放大电路四种接法的比较：电路参数理想对称条件下输入方式：Ri均为2(Rb+rbe)；双端输入时无共模信号输入，单端输入时有共模信号输入。输出方式：Q点、Ad、Ac、KCMR、Ro均与之有关。T3：恒流管作用：能使iC1、iC2基本上不随温度的变化而变化，从而抑制共模信号的变化。恒流源式差分放大电路差分放大电路：利用两半电路和器件的参数对称性抑制零点漂移。用特性相同的两个管子来提供输出，使它们的零点漂移相互抵消。通常分为长尾式和恒流源式两类，后者抑制温漂的能

8、力更强。静态分析当I2>