负载有硒化物的二氧化钛纳米带的合成与性能表征.pdf

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时间:2020-03-27

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1、PreparationandCharacterizationofSelenide—SupportedTi02NanobeltsByAuthorZhouJiUndertheSupervisionofProfessorJiTianhaoSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsFortheMaster’SDegreeSchoolofFoodandChemicalEngineeringBeijingTechnologyandBusinessUniversityJune201学位论

2、文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作所取得的研究成果。除了文中已经注明引用的内容外,论文中不包含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律后果完全由本人承担。矽

3、1年。玛l旧学位论文授权使用声明本人完全了解北京工商大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间学位论文所涉及的知识产权属于北京工商大学。学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许学位论文被查阅和借阅;学校可以公布

4、学位论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后遵守此规定)学位论文电子版同意提交后,可于口当年口一年口二年后在学校图书馆网站上发布,供校内师生浏览。鞭:妒}

5、年王具㈡B摘要二氧化钛是一种重要的n型半导体氧化物,因为具有一系列优良的光化学性质,使它在环保,化工,建材,新能源材料方面有巨大的应用价值。随着研究的深入,对二氧化钛的研究已从传统的零维纳米粒子逐渐向一维纳米材料发展。与普通的零维二氧化钛纳米材料相比,一维二氧化钛纳米材料具有更大的比表面积和更高的电荷载流子传输速

6、率,同时还由于光生载流子沿着一维长轴方向的传递,减少了由于大量晶界的存在而造成的光电子的损失。由此可见,一维二氧化钛纳米材料在实际应用上将更具优势,论文的第二章详细介绍了通过水热法制备二氧化钛纳米带的全过程,材料表现出不错的形貌特征。然而,由于二氧化钛的禁带宽度达3.2eV,使其对光能的利用局限在紫外光区,总体光能利用率不高,这成为了二氧化钛大规模应用的瓶颈,因此,对二氧化钛纳米材料的改性成为了研究的新热点。在众多改性措施中,与其它半导体复合是一个重要方面,本论文第三章至第六章着重研究了硒化物对锐钛型二氧化钛纳米带的负载改

7、性。实验采用水热法先后制备了硒化镉、硒化锌、硒化铋、硒化铅负载二氧化钛纳米带的复合材料,并对各系列材料进行了结构、形貌和性能表征。研究结果表明,硒化物对二氧化钛纳米带起到了光敏化作用,改性后的复合材料对光的感应拓展到了可见光区,达到了研究目的。整个课题研究为半导体与二氧化钛复合提供了一系列具体可行的操作实例,对所得材料进行各种检测所得的结果,为其将来的产业化应用提供了基础数据支撑。关键词:二氧化钛;纳米带;水热法;硒化物负载;硒化镉;硒化锌;硒化铋;硒化铅ABSTRACTZi02asakindofn—typesemicon

8、ductorexhibitshighphotochemistryproperties.Ithasagreatpotentialapplicationinthefieldofenvironmentalprotection,chemicalindustry,buildingmaterialsandnewenergymaterial.Withthedevelopmentofresearch,one·dimensional(1D)Ti02nanomaterialshavebeenpaidcloserattentionto.Comp

9、aredtothezero-dimensionalmaterial,1DYi02hashighersurfaceareaandthephoto—inducedchargesonitssurfaceCantransferfaster.Inaddition,thelossofchargesowingtointerracialtransferCanbeavoidedbecausethespecial1Dstructuremakesthecrystalinterfacereduced.Asitisdescribedinthesec

10、ondpartofthisthesis,theTi02nanobeRs(NBs)synthesizedbyhydrothermalmethodshowsgoodappearance.However,becauseoftheTi02’swidebandgap(3.2eV),itsabsorptionofl

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