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1、第25卷第4期传感技术学报Vo1.25No.42012年4月CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORSApr.2012Silicon.BasedMicro.StructuralFlexuralPlateWaveDevicesLIXin,,LIUMengwei,XUEMingxin,(1.SchoolofInformationScienceandEngineering,ShenyangUniversityofTechnology,Shenyangl10870,China;2.InstituteofAcoustics,ChineseAcade
2、myofScience,Beijing100190,China)Abstract:Thedesignandfabricationofmicro—structuralflexuralplatewave(FPW)devicesbasedontheZnOpiezoelectricfilmareintroduced.Toreducethefilmstress,LTO/ZnO/LTO/Si3N4multi·layercompositeplatestructureisadopted.DCmagnetronsputteringisappliedtodepositZnOpiezoe
3、lectricfilm,twopairsofinterdigitalelectrodesaredepositedonthepiezoelectriccompositeplatestructure,theinterdigitalelectrodesareadoptedfortheLambwaveexcitationandreception,respectively.XraydiffractionresultsshowthatthedepositedZnOfilmishighlypreferredCaxispiezoelectricfilm.Thescanningele
4、ctronmicroscopyshowsthatthepreparedZnOfilmsaresmooth,dense,andgraingrowthappearsobviouscolumnarstructure.Thehighharmomicbulkacousticresonator(HBAR)devicesarepreparedtoinvestigatetheelectricalpropertiesofZnOpiezoelectricfilmindirectly.ThehigherqualityfactorofHBARdeviceindicatesthefilmsh
5、avegoodpiezoelectricproperties.TheFPWdevicefrequencyresponseisanalyzedwiththeAgilentE5071Cnetworkanalyzer.TheresultsshowthemeasuredcenterfrequencyoftheantisymmetricA0modesLambwaveisbasicallyidenticalwiththetheoreticalcalculationresult.Keywords:flexuralplatewave;ZnOpiezoelectricfilm;mul
6、ti—layercompositeplate;interdigitalelectrodeEEACC:2860Cdoi:10.3969/j.issn.1004—1699.2012.04.007微型硅基弯曲板波器件术李新,刘梦伟,薛明鑫(1.沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳110870;2.中国科学院声学研究所,北京100190)摘要:介绍了基于ZnO压电薄膜的微型弯曲板波(FPW)器件的设计与制作。为减小薄膜的应力,器件采用LTO/ZnO/LTO/Si,N多层复合板结构,并采用直流磁控溅射工艺制备ZnO压电薄膜,在压电复合板结构上沉积两对叉指电极,分别用于Lamb
7、波的激发和接收。x射线衍射分析表明,沉积的ZnO薄膜C轴高度择优;扫描电子显微镜分析表明,制备的ZnO薄膜平整、致密,晶粒生长呈现明显的柱状结构;通过分析制备的高次谐波体声波谐振器(HBAR)器件性能来间接检验ZnO压电薄膜的电学性能,HBAR器件的品质因子较高,表明薄膜有较好的压电性能。利用安捷伦E5071C网络分析仪检测FPW器件的频率响应,结果表明反对称An模式Lamb波的实测中心频率与理论计算的频率结果基本一致。关键词:弯曲板波;ZnO压电薄膜;多层复合板:叉指电极中图分类号:TP212.16文献标识码:A文章编号:1004—1699(2012)04—0
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