基于铜基底的TiO2纳米管阵列储锂性能.pdf

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1、第29卷第8期无机化学学报Vo1.29No.82013年8月CHINESEJOURNALOFIN0RGANICCHEMISTRYl759一l768基于铜基底的TiO2纳米管阵列储锂性能陈公德张卫新杨则恒王强姚宏旭(合肥工业大学化工学院,可控化学与材料化工安徽省重点实验室,合肥230009)摘要:研究了基于铜基底的TiO,纳米管阵列直接作为锂离子电池电极的储锂性能。以铜基底上生长的Cuf0H纳米棒阵列为模板,采用自牺牲模板法,通过外向包覆与内向刻蚀,制备了非晶态的TiO,纳米管阵列,然后将其在500℃下退火处理4h.获得锐钛矿型TiO

2、:纳米管阵列。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、透射电镜、热重分析对样品进行表征;采用恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗谱测试对退火前后TiO纳米管阵列的电化学性能进行研究。结果表明:与非晶态的TiO纳米管阵列相比,锐钛矿型TiO,纳米管阵列吸附水的含量低,结晶度高,电荷迁移阻力小,锂离子扩散系数大,结构稳定,具有更好的循环性能和倍率性能;在O.2C下,其首次放电比容量为353mAh-g--.经过40次循环后的放电比容量仍为243mAh.g-.在8C下的放电比容量为90mAh·g~。关键词:TiO2;纳米管阵列;模板;负极;锂离子电池中

3、图分类号:O614.33;TM912.9文献标识码:A文章编号:1o014861(20l3)08.1759.10DOI:10.3969/j.issn.1001—4861.2013.00.308LithiumStoragePerformancesofTi02NanotubeArraysonCopperSubstrateCHENGong—DeZHANGWei-XinYANGZe-HengWANGQiangYAOHong-Xu(SchoolofChemicalEngineering,HefeiUniversityofTechnology,

4、AnhuiKeyLaboratoryofControlla]aleChemistryReaction&MaterialChemicalEngineering,Hefei230009.China)Abstract:LithiumstorageperformancesofTiO2nanotuhearraysoncoppersubstrateaselectrodesinlithium—ionbatterieswereinvestigated.AmorphousTiO2nanotubearrayswerepreparedviaasacrif

5、icialtemplatemethodfromoutwardcoatingofTiOzandinwardetchingofCu(OH)2nanorodaraytemplatesoncoppersubstrate.AnataseTi02nanotubearrayswereobtainedbypost-heatingthesampleat500qCfor4h.ThesampleswerecharacterizedbyX—raydiffraction(XRD),field—emissionscanningelectronmicroscop

6、y(FESEM),transmissionelectronmicroscopy(TEM),andthermogravimetrieanalysis(TGA).TheelectrochemicalperformancesofamorphousandanataseTiO2nanotubearrayswereinvestigatedbygalvanostaticcharge·dischargemeasurements,cyclicvoltammetry(cv),andelectrochemicalimpedancespectroscopy

7、(EIS).TheresultsindicatethatcomparedwithamorphousTi02nanotubearrays,anataseTiO2nanotubearraysexhibitasuperiorratecapabilityandcyclingperformanceduetotheirloweramountsofadsorbedwater,highercrystallization,lowercharge—transferresistance,higherlithium—iondiffusioneoeficie

8、nt,andmorestableone-dimensionaltubularstructure.Theyshowaninitialspecificdischargecapacityof353mAh·g一and243mAh·g一even

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