Bi2O3催化剂的制备及性能.pdf

Bi2O3催化剂的制备及性能.pdf

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1、第32卷第4期无机化学学报Vo1.32No.42016年4月CH[INESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY649.654四角星形BiVO4/Bi203催化剂的制备及性能单爽杨占旭(辽宁石油化工大学化学化工与环境学部,抚顺113001)摘要:采用水热法合成具有四角星形貌的钒酸铋,再将钒酸铋浸渍在碱溶液里二次水热,制备出B~VCJBhO催化剂。采用x射线粉末衍射(xRD)、扫描电子显微镜(SEM),紫外一可见漫反射(UV-VisDRS)等方法对样品进行表征。可见光下,BiVOJBiO,复合物的光催化降解罗丹明B性能及光电流响应均优于纯BiVO,。这是由于BiVO4/Bi0

2、复合材料形成了异质结构,有效抑制了光生电子与空穴的复合效率。关键词:BiVOJBi:!O3;光催化;水热法;异质结构中图分类号:X788;TO069文献标识码:A文章编号:1001..4861(2016)04--0649..06DoI:10.11862/CJIC.2016.076PreparationandPerformanceofFourAngleStar,-,likeBiVOdBi203CatalystSHANShuangYANGZhan-Xu(Co//egeofChemistry,ChemicalEn~neeringandEnv~nmentEn~neenng,LumningShihua

3、University,Fushun,Liaoning113001,CnAbstract:mvo,powderswithfOLlYanglestar-hkewerepreparedbyhydrothermalmethod.andthenweredippedinalkalisolutionbyhydrothermalroutetosynthesizemVOTBi~O3.Theas一-synthesizedsampleswerecharacterizedbyX—raydi珏lracti0n(XRD),scanninge]eclronmicroscopy(SEM),UV—Visdiffuserefl

4、ectionab~on(DRS).Undervisiblelightirradiation.,theBiVO4/BieO3composite~xhibitsmuchbetterphotocatalyticperf0rmancefordegradationofrhodamineB(RhB)andhigherphotocurrent(PC)thanpureBiVO4.Thissignifieamenhancementonvisible.1ight.drivenphotocatalyticactivityshouldbeascribedtotheformationoftheBiVOJBi20het

5、erojunction,,whichcanresultinthehighseparationandtransferefficiencyofphotogeneratedchargecarriers.Keyword:BiVOJBi~O3;photccatalytic;hydmthermal;heterogeneousstructure0引言化活性,成为研究的热点问题。合理设计BIVO基复合材料的异质结构.被认为是复合材料光催化性在新型的光催化剂中.Bi基可见光催化剂由于能提高的最有效方法之一Li等【1l制备了具有异质具有较高的可见光催化活性而日益受到关注_l-5]其结构的Ag@AgC1/BiVO

6、新型可见光催化剂,实验发中钒酸铋(BiVO~)凭借其禁带宽度较窄.具有较高可现所合成的钒酸铋呈现十边形形貌.Ag@AgC1负载见光催化活性,在光催化领域具有很大的应用前在钒酸铋表面.与钒酸铋形成核壳结构复合后的景[6-ol。然而,纯钒酸铋存在光生电子与空穴易复合催化剂性能明显优于纯钒酸铋的光催化性能Ln的缺点,限制了其应用。因此,如何有效提高BiVO等采用静电纺丝法.合成了具有异质结构的光生电子与空穴的分离效率.从而提高材料的光催BiVOJBi~V0。催化剂,结果表明这种异质结构可以收稿日期:2015-.12.30。收修改稿日期:2016,-02.2O。国家自然科学基金(N0.2140109

7、3)和辽宁省高等学校优秀科技人才支持计划(No.LR2015O36)资助项目。通信联系人。E-mail:zhanxuy@126_c0m650无机化学学报第32卷有效降低电子与空穴的复合率.更有助于提高其光化剂。催化性能Huang等采用水热法合成了BilOd1-2分析与表征方法BiVO新型可见光催化剂,实验发现BilO催化剂呈采用岛津XRD.6000型X射线衍射仪对样品的立方体结构,禁带宽度为3.15eV,Bi

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