垂直腔面发射半导体激光器绝缘膜工艺研究.pdf

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1、分类号：TN365UDC：密绂：编号垂直腔面发射半导体激光器绝缘膜工艺研究Vertical-cavitySurface·emittingSemiconductorLaserinsulationnlembranetechnologyresearch学位授，于单位及代码：篮叠堡王盔芏f!Q!墅2学科专业名称及代码：堂堂王捏IQ8Q2QQ2研究方向：堂堕王焦查丛查田申请学位级别：亟尘指导教帅：．E玉重!班宜虽2研冗生：邹熊世论文起II。时川：2QQ!：!=兰Q!Q：12长春理工大学硕士学位论文原创性声

2、明本人郑重声明：所呈交的硕士学位论文，们自直腔面发射半导体激光器绝缘膜工艺研究》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者鉴2：—辚，。h毕年≥月埠日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留井向中

3、国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNIO系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电于版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索．也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名，4纨瓤2业年土月建王日导师签名：皇耋鼓逮生年立月丑日摘要垂直腔而发射半导体激光器．是～种新型的半导体激光器，具有闽值电流低，功耗小，效率高-发散角小等优点，在光互连和光信息等领域有广泛的应用前景。本文在简要介绍垂直

4、腔面发射半导体激光器的定义和结构原理的基础上，阐迷TVCSEL的研究进胜及应用情况，并对VCSEL制各丁：艺cI吲吩工艺进行研究和优化：概述了VCSEL完整的制备工艺流程；采用磁控溅射的方法制蔷了具有高热导率的AIN薄膜，并利用SEM．分光光度计等对薄膜进行了测试，并对结果进行了分析，利J_

5、：

6、ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟分析，得到了薄膜厚度对薄膜形貌．透射率等性能的影响规律；对封装工艺进行了改进，提高了器件性能。关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEI)，工艺．氧化物限制．

7、AIN薄膜ABSTRACTVerticaIcavitysuJ-faueemittingIaserdiodeisanewtypeofsemiconductor【[tserswithlowthresholdcurrenl．10wpowerconsumption．highefficiencyandsmalldivergenceangleoftheadvantagesofopticalinterconnectsandopticalinff)rmationlnthefieldsofawiderangeof

8、applicationsThispaperbrieflydescribesthevenica】cavitysurfaceemitting】asersdefinedstructurebasedontheprinciplesexpoundedVCSELresearchprogressandapplication．andinpartolthepreparationprocessVCSEI．researchandoptimization；allovervieuofthecompleteproductio

9、nofthecompleteVCSELtheprocess；bymagnetronspuneringwerepreparedwithhighthermalconductivityoftheAINfilm．andusingSEM．spectrophntometeretcofthefilmsweretestedandtheresultswereanalyzedusingtheANSYSfiniteelementanalysissoftwareonthefilmthesimulationottherm

10、alstressanalysis．thefilmthicknessonfilmmorphology．transmissionandotherproper【iesoflaw；onthepackagingtechnologyhasbeenimproved．improveddeviceperformanceKeyword：Vertical-(’a、啷Surface-Emittinglasers(VCSEL)，oxideconfinement，AINfiIms摘要ABSTRAcT目录目录．．．．．．．．