基本放大电路(全部).ppt

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1、第15章基本放大电路15.2基本放大电路的组成15.3放大电路的静态分析15.5静态工作点的稳定15.7多级放大电路15.6射极输出器15.4放大电路的动态分析15.8差动放大电路15.1半导体三极管15.1半导体三极管一、三极管结构、符号NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极2、符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管由2个PN结组成；根据结构不同，可分为：NPN型和PNP型1、结构：基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特

2、点：集电区：面积最大二、电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VC>VBVC>VB>VEVC﹤VB﹤VE注意：EB、EC极性不能接反，且EC＞EB保证：2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系I

3、E=IB+IC晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性。BECNNPEBRBECRC2）ICIB，ICIE3）ICIBIBICIE实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。使T具有放大作用的条件：内部条件：外

4、部条件：基区要做的很薄，且掺杂质浓度小，使IB很小发射结正偏，集电结反偏从基区扩散来的电子由于外部电源的作用而被拉入集电区形成ICE。3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度ICEO(常用公式)若IB=0,则ICICE0三、特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++发射极是输入回路、输出回路的公共

5、端共发射极电路输入回路输出回路1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管：UBE0.6~0.7VPNP型锗管：UBE0.2~0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO2.输出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区特点：IC=IB，也称为线性区条件：发射结正偏、集电结反偏（2）截止区IB<0以下区域为截止区，有IC0。条件：发射结反偏，集

6、电结反偏在饱和区，IBIC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES0.3V，锗管UCES0.1V。（3）饱和区当UCEUBE时，晶体管处于饱和状态。当UCE=UBE时，晶体管处于临界饱和。饱和区截止区四、主要参数1.电流放大系数，直流电流放大系数交流电流放大系数表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=。IB=020A4

7、0A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大允许电流ICM5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的

8、集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许耗散功耗PCMPCM取决