基本放大电路.ppt

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1、课程介绍模拟电子技术基本放大电路集成运算放大器及其应用直流电源晶闸管电路数字电子技术基本门电路组合逻辑电路触发器时序逻辑电路课程要求教学内容：1、基本部件的工作原理2、基本电子器件的特性及其应用3、基本电路的分析4、简单电路的设计试验内容：1、基本放大电路测试2、集成运算放大器的使用3、整流滤波的认识4、数字电子电路测试基本门电路、组合逻辑电路、时序逻辑电路考核方式1、闭卷考试（80%）2、作业（10%）3、实验（10%）第一章基本放大电路第一节PN结一、半导体1、纯净半导体（硅、锗）中的载流子（电子与空穴）（1）在外

2、界能量作用下产生成对存在的电子与空穴。（2）在电场作用下产生，由电子形成电子流，而由空穴形成空穴流。（3）电子与空穴成对复合。N型半导体中电子数远远大于空穴数。多子是电子（其数量主要取决于杂质的掺杂浓度）少子是空穴（其数量主要取决于环境的温度）（1）N型半导体（在硅（锗）中掺入5价元素（磷、砷等））多子2、杂质半导体中P型半导体中空穴数远远大于电子数。多子是空穴（其数量主要取决于杂质的掺杂浓度）少子是电子（其数量主要取决于环境的温度）（2）P型半导体（在硅（锗）中掺入3价元素（硼、铟等））空穴多子二、PN结及其单向导电

3、性1、PN结的形成（1）多子扩散逐渐加宽空间电荷层（耗尽层，阻挡层），形成逐渐增强并阻碍多子扩散、阻碍空间电荷层加宽的内电场。（2）少子在内电场作用下产生漂移，消弱内电场，使阻挡层变窄；（3）多子扩散和少子漂移最终达到动态平衡，空间电荷层相对稳定。扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反，PN结中电流为零。2、PN结单向导电性（1）PN结加正向电压（正向偏置）限流电阻a、外加电场使得内电场被消弱，从而加剧了多子扩散；多子向耗尽层的扩散使空间电荷层变窄；b、空间电荷层变窄更有利于多子扩散而抑制少子漂移；c、多子扩散电流称为正

4、向电流（PN），此时称PN结导通；PN结正偏：PN结导通，电阻很小，正向电流较大；a、外加电场增强内电场，从而阻碍多子扩散而增强了少子的漂移，使得空间电荷层变宽；b、少子漂移电流（NP），称为反向饱和电流；c、反向饱和电流很小，且外加电压超过一定数值时，基本不随电压的增加而增加。（2）PN结加反向电压（反向偏置）PN结反偏：PN结截止，电阻很大，反向电流很小；第二节半导体二极管一、二极管的结构1、组成PN结、阳极引线、阴极引线、管壳；2、分类点接触型(图a)高频、工作电流小面接触型(图b)低频、工作电流较大2、符号(图

5、c)二、二极管的VA特性UII=f（U）1、正向特性死区电压：硅：0.5V锗：0.1V正常工作时的管压降硅：0.7V锗：0.3V2、反向特性反向电流由少子形成，因此反向电流一般很小；小功率硅管：小于1微安；小功率锗管：几十微安；3、反向击穿特性反向击穿：外加电压达到一定数值时，在PN结中形成强大的电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增；4、温度对VA特性的影响（了解）三、二极管的主要参数用于描述二极管的导电特性，是选择和使用二极管的依据。1、最大整流电流IF意义：二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流；2、

6、最高反向工作电压URM意义：二极管工作时允许施加的最大反向电压；URM通常取反向击穿电压的一半；3、反向电流IR意义：室温下二极管未击穿时的反向电流；IR越小，二极管的单向导电性能越好；4、最高工作频率fM意义：二极管正常工作时所加电压的最大频率；fM受PN结的结电容限制，与结电容成反比；例1-1ui=10sinwt(v)E=5vR=1k欧姆忽略二极管的正向压降和反向电流画出uo的波形（1）uiE时，二极管正向导通，uo=E;例1-2判断二极管的工作状态。判断方法：正向偏

7、置VA>VB；导通；反向偏置VAIZ时

8、,在不超过稳压管的额定功耗的条件下，工作电流越大，稳压效果越好；（2）稳定电压UZ稳压管工作电流为规定值时，稳压管两端的电压；（3）动态电阻RZRZ=△UZ/△IZ；（4）最大功耗PZM在管子不致于过热损坏前提下的最大功率损耗值；PZM=UZ×IZM；（5）电压温度系数描述稳定电压对于温度的敏感程度；温度系数越小越好；衡量稳压管的