R8120规格书(中文版).pdf

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1、R8120非隔离降压型LED驱动器特点内置600V功率MOSFETSOP-8封装,输出电流可高达150mA谷底开关，高效率，低EMIPF可调节至0.9自动补偿变压器感量变化自动适应输出电压变化短路保护温度保护过压保护开路保护外围元件少工作温度：-40~100℃概述R8120是一款专用于LED非隔离降压型控制器，系统工作在谷底开关模式，效率高，EMI低，PF可调节至0.9；输出电流自动适应变压器感量变化和输出电压的变化,从而真正实现了恒流驱动LED。R8120内部集成600V功率MOSFET,采用SOP-8封装,输出高达150mA的电流,外围只需要很少

2、的器件就可以达到优异的恒流输出。R8120内部集成了丰富的保护功能，包括过压保护，短路保护，逐周期电流保护，温度保护和软启动等。R8120具有极低的启动电流和工作电流，可在全电压交流输入（85VAC~265VAC）或8到450V直流输入电压内高效驱动LED。应用范围LED驱动电源。管脚排列R8120CF数据手册3.0-１-2012-08R8120管脚描述管脚号引脚名称I/O引脚功能1CSI电流采样输入端2VDDPOW电源端3FBI反馈信号输入端4SOURCEO内部高压MOS的源端5,6DRAIN内部高压MOS的漏端7,8GNDPOW接地端极限参数参数名称符号最大工作范围单位

3、电源电压VDD-0.3~8.0V输入端电压VI-0.3~VDD+0.3V输出端电压VO-0.3~VDD+0.3VDRAIN端电压VDRAIN-0.3~600功耗(在25℃时)CF（SOP8）PD630mW热阻(在25℃时)CF（SOP8）ӨJA150℃/WESD保护（人体模式）ESD2000V储存温度TSTG-55~150℃结温150℃焊接温度（锡焊，10秒）300℃注：超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下工作，器件的技术指标将得不到保证，长期在这样的工作条件下还会影响可靠性电气参数(除非特别注明，TA=25℃)参数名称符

4、号测试条件最小值典型值最大值单位内置稳压器电压VDDVDD灌入1mA电流6.16.87.5VVDD最大灌入电流IVDDVDD灌入电流10mA最低VDD电压VUVLOVDD上升，Hys=0.3V55.56V启动电流ISTVDD灌入电流100150uACS端阈值电压VCSTA=-45℃~85℃410420430mV最小ontimeTON(min)设计电感值不要低于最大值500800nSFB端电压(mos开启VFB14050mV电压)FB端电压(输出VFB20.81.21.6VOVP电压)热关断保护温度TSD140℃温度保护迟滞20℃高压MOS导通电阻810ΩMOS漏源击穿电压V

5、DS(BV)600V数据手册3.0-２-2012-08R8120功能框图VDD稳压源BIAS&UVLO输DRAIN出系统控制器驱动SOURCE前沿消隐OVPCOMPCSGNDFB图1R8120功能框图典型应用图数据手册3.02012-08R8120应用信息R8120是非隔离降压型恒流驱动器,内部集成高压600VMOSFET,采用SOP-8封装,LED电流可以输出高达150mA;R8120采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒流驱动LED。启动R8120启动电流很低,典型值为100uA,如果设计系统交流85V启动时,启动电阻为x=801

6、K.芯片供电R8120需要用辅助线圈供电,设计辅助线圈(NA)和主线圈匝数(NP)比时,应遵循以下规则:=,假设输出LED压降为90V时,那么==10采样电阻R8120是一款专用于LED非隔离降压型控制器，系统工作在谷底开关模式,只需要很少的外围器件即可实现高精度的恒流输出。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流,CS端连接芯片内部,并与内部200mV的电压进行比较,当CS达到内部阈值时,系统会关掉内部功率管。电感峰值电流的计算公式：IPK=（mA），Rcs为电流检测电阻阻值LED电流输出公式：ILED=(mA)电感(主线圈)设计R8120是采用谷底开关模式，系统上电后内部功率管

7、导通，电感电流逐渐上升，当电感电流上升到IPK时，内部功率管关断。内部功率管的导通时间如下：TON=其中，LP为主线圈的电感量，VIN是输入交流整流后的直流电压，VLED是输出LED的正向压降当内部功率管关断后，电感上电流从峰值开始逐渐下降，当电感上电流下降到0时，内部功率管开启。功率管的关断时间如下：TOFF=电感的计算公式如下：数据手册3.0-４-2012-08R8120LP=其中f为系统的工作频率，当LP，VLED，IPK一定时，工作频率随VIN的升高而升高。所以设计系统工作频率，在最小VIN时，不能让系统进