R9128规格书(中文版).pdf

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1、R9128非隔离降压型LED驱动器特点内置600V功率MOSFET无需辅助线圈供电SOP8(DIP8)封装,输出电流可高达260(350)mA谷底开关，高效率，低EMIPF可调节至0.9自动补偿电感的感量变化自动适应输出电压变化短路保护温度保护过压保护开路保护外围元件少工作温度：-40~100℃封装：SOP8，DIP8概述R9128是一款专用于LED非隔离降压型恒流驱动集成电路，系统工作在谷底开关模式，转换效率高，EMI低，PF可调节至0.9，输出电流自动适应电感的感量变化和输出电压的变化，从而真正实现了恒流驱动LED。R9128内部集成600V功率MOSF

2、ET,采用SOP8(DIP8)封装，输出高达260(350)mA的电流,外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。R9128内部集成了丰富的保护功能，包括过压保护，短路保护，逐周期电流保护，温度保护和软启动等。R9128具有极低的启动电流和工作电流，可在全电压交流输入（85VAC~265VAC）范围内高效驱动LED。应用范围LED驱动电源。管脚排列R9128AF/CF数据手册3.02012-08R9128管脚描述管脚号引脚名称I/O引脚功能1CSI电流采样输入端2VCCPOW电源端3FBI反馈信号输入端4SO内部高压MOS管的源端5,6D内部高压MOS管的漏端7,8GNDPOW接地

3、端极限参数参数名称符号最大工作范围单位电源电压VCC-0.3~8.0V输入端电压VI-0.3~Vcc+0.3V输出端电压VO-0.3~Vcc+0.3VD端电压VD-0.3~600功耗(在25℃时)CF（SOP8）PD630mWAF（DIP8）900mW热阻(在25℃时)CF（SOP8）ӨJA150℃/WAF（DIP8）110℃/WESD保护（人体模式）ESD2000V储存温度TSTG-55~150℃结温150℃焊接温度（锡焊，10秒）300℃注：超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下工作，器件的技术指标将得不到保证，长期在这样的工作条件

4、下还会影响可靠性电气参数(除非特别注明，TA=25℃)参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位内置稳压器电压VCCVCC灌入1mA电流6.16.87.5VVCC最大灌入电流IVCCVCC灌入电流10mA最低VCC电压VUVLOVCC上升，Hys=0.3V55.56V启动电流ISTVCC灌入电流100150uACS端阈值电压VCSTA=-45℃~85℃410420430mV最小ontimeTON(min)设计电感值不要低于最大值500800nSFB端阈值电压(输VFB211.21.4V出OVP)热关断保护温度TSD140℃温度保护迟滞20℃高压MOS导通电阻4.15ΩMOS漏源击穿电压

5、VDS(BV)600V数据手册3.02012-08R9128功能框图VCC稳压源BIAS&UVLO输D出系统控制器驱动S前沿消隐控制器OVPCOMPCSGNDFB图1R9128功能框图典型应用图应用信息R9128是非隔离降压型恒流驱动集成电路,内部集成高压600VMOSFET,采用SOP8(DIP8)封装,LED电流可以输出高达260(350)mA，R9128采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒流驱动LED。启动R9128启动电流很低，典型值为100uA（最大值为150uA），如果设计系统交流85V启动时，启动数据手册3.02012-08R91

6、28电阻为=801K.芯片供电R9128启动后，需要输出电压给芯片供电，整流二极管D6需选用快恢复二极管。限流电阻R4计算公式：R4=，D为占空比，1mA为芯片正常工作电流，VLED为输出负载电压。该电阻功耗：PR4，举例如下：方案需求：输入电压为180-260，输出36-80V，240mA。设计上述方案电阻R4时，应满足1，最低输入交流电压，最低输出电压时芯片的供电问题（此时供电最弱），D，R4=（1-0.167）=22.49K；2，最高输入交流电压260V，最高输出电压80V（此时供电最强）时，该电阻的功耗问题。此时D，该电阻上最大功耗，采样电阻R9128是一款专用于LED非隔离降

7、压型控制器，系统工作在谷底开关模式,只需要很少的外围器件即可实现高精度的恒流输出。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流，CS端连接芯片内部，并与内部420mV的电压进行比较，当CS达到内部阈值时，系统会关掉内部功率管。电感峰值电流的计算公式：IPK=（mA），Rcs为电流检测电阻阻值LED电流输出公式：ILED=(mA)电感设计R9128是采用谷底开关模式，系统上电后内部功率管导通，电感电流逐渐上升，当电感电流上升到IPK时，内部功率管关断。内部功