数字逻辑与数字系统第四版答案.docx

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1、数字逻辑与数字系统第四版答案【篇一：数字逻辑(第六版白中英)课后习题答案】设计4个寄存器堆。解：寄存器组2.设计具有4个寄存器的队列。解：输入数据输出数据3．设计具有4个寄存器的堆栈解：可用具有左移、右移的移位寄存器构成堆栈。栈顶输入数据sr1sr2输出数据sr3压入弹出4．sram、dram的区别解：dram表示动态随机存取存储器，其基本存储单元是一个晶体管和一个电容器，是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器，充满电荷的电容器代表逻辑“1”，“空”的电容器代表逻辑“0”。数据存储在电容器中，电容存储的电荷一般是会慢慢泄漏的，因此内存需要不时地刷新。电容需

2、要电流进行充电，而电流充电的过程也是需要一定时间的，一般是0.2-0.18微秒（由于内存工作环境所限制，不可能无限制的提高电流的强度），在这个充电的过程中内存是不能被访问的。dram拥有更高的密度，常常用于pc中的主存储器。sram是静态的，存储单元由4个晶体管和两个电阻器构成，只要供电它就会保持一个值，没有刷新周期，因此sram比dram要快。sram常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；5.为什么dram采用行选通和列选通解：dram存储器读/写周期时，在行选通信号ras有效下输入行地址，在列选通信号cas有效下输入列地址。如果是读周期，此位组内

3、容被读出；如果是写周期，将总线上数据写入此位组。由于dram需要不断刷新，最常用的是“只有行地址有效”的方法，按照这种方法，刷新时，是在ras有效下输入刷新地址，存储体的列地址无效，一次选中存储体中的一行进行刷新。每当一个行地址信号ras有效选中某一行时，该行的所有存储体单元进行刷新。6.用rom实现二进制码到余3码转换解：真值表如下：8421码余三码b3b2b1g3g2gb00000000100101g00011010001010010111010011010101001011100010111011100101011001101最小项表达式为：g3=?

4、(5,6,7,8,9)g2=?(1,2,3,4,9)g1=?(0,3,4,7,8)阵列图为：b32b10g3g2g1g7.用rom实现8位二进制码到8421码转换g0=?(0,2,4,6,8)解：输入为8位二进制数，输出为3位bcd码，12位二进制数，所以，所需rom的容量为：28*12=30728.rom、eprom和eeprom的区别解：rom指的是“只读存储器”，即read-onlymemory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。eprom指的是“可擦写可编程只读存储器”，即

5、erasableprogrammableread-onlymemory。是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用n沟道叠栅mos管，信息的存储是通过mos管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄漏，因此电荷分布维持不变，eprom也就成为非易失性存储器件了。当外部能源（如紫外线光源）加到eprom上时，eprom内部的电荷分布才会被破坏，此时聚集在mos管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄漏掉，使电路恢复到初始状态，从而擦除了所有写入的信息。这样eprom又可以写入新

6、的信息。eeprom指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即electricallyerasableprogrammableread-onlymemory。也是采用浮栅技术生产的可编程rom，但是构成其存储单元的是隧道mos管，隧道mos管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧道mos管是用电擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。e2prom的电擦除过程就是改写过程，它具有rom的非易失性，又具备类似ram的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目前，大多数e2prom芯片

7、内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。9.flash存储器的特点解：flash也是一种非易失性的内存，属于eeprom的改进产品。flash是结合eprom和eeprom技术达到的，flash使用雪崩热电子注入方式来编程。主要特点是，flash对芯片提供大块或整块的擦除，而eeprom则可以一次只擦除一个字节(byte)。这就降低了设计的复杂性，它可以不要eeprom单元里多余的晶体管，所以可以做到高集成度，大容量，另flash的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。地a0︰址︰线数据

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